清华大学刘仿获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学申请的专利电子束光刻系统、方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119002189B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411236621.X，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权电子束光刻系统、方法及半导体器件是由刘仿;王哲宣;何伟;刘俊杰;黄翊东;崔开宇;冯雪;张巍设计研发完成，并于2024-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本电子束光刻系统、方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种电子束光刻系统、方法及半导体器件，其中的系统包括：激光装置，用于发射带有目标图形信息的空间连续激光；电场调制装置，用于对空间连续激光激励的电子施加辅助电场，调控电子的发射；磁透镜单元，用于对发射的电子束进行聚焦和导引，以使电子束按照目标图形信息投射于半导体芯片上；半导体芯片，用于按照目标图形信息在半导体芯片表面进行曝光，转移目标图形信息至光刻胶上。该系统通过利用带有目标图形信息的空间连续激光精确控制特定区域内电子的发射，使得发射的电子束携带目标图形信息，并通过层间电场调制装置与磁透镜单元的协同作用，使携带了精细的目标图形信息的电子束在半导体芯片表面的电子束光刻胶上重现这些图案，不仅能够快速印刷目标图形而避免直写操作，达到极高的光刻分辨率，还降低了制造成本，满足高端半导体制造领域对精密加工的严格要求。
本发明授权电子束光刻系统、方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种电子束光刻系统，其特征在于，包括： 激光装置，用于发射带有目标图形信息的空间连续激光； 电场调制装置，用于对所述空间连续激光激励的电子施加辅助电场，调控电子的发射； 磁透镜单元，用于对发射的电子束进行聚焦和导引，以使电子束按照所述目标图形信息投射于半导体芯片上； 半导体芯片，涂覆有光刻胶，用于按照所述目标图形信息在半导体芯片表面进行曝光，转移所述目标图形信息至光刻胶上。
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