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龙图腾网获悉中山大学申请的专利一种基于SRAM型的存内原子操作电路及其控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118918932B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410941342.7，技术领域涉及：G11C11/413；该发明授权一种基于SRAM型的存内原子操作电路及其控制方法是由王明羽;张奕聪;叶之荣;郑茗元;虞志益设计研发完成，并于2024-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于SRAM型的存内原子操作电路及其控制方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种基于SRAM型的存内原子操作电路及其控制方法，该电路包括8TSRAM阵列、开关控制电路、近存计算逻辑、数据驱动控制电路和SRAM外围电路。该控制方法包括：获取操作指令类型；若操作指令类型为普通访存指令，则切换电路的控制模式为SRAM模式，若操作指令类型为原子操作指令，则切换电路的控制模式为原子操作模式；若电路的控制模式为原子操作模式，执行存内原子操作，直至存内原子操作结束，将电路的控制模式切换为SRAM模式，执行普通访存指令操作。本申请实施例能够通过在存储阵列中直接完成计算，减少数据在存储和计算单元之间的传输，提高原子操作处理效率以及减少数据传输所需的能量消耗。本申请可以广泛应用于集成电路设计技术领域。

本发明授权一种基于SRAM型的存内原子操作电路及其控制方法在权利要求书中公布了：1.一种基于SRAM型的存内原子操作电路，其特征在于，所述存内原子操作电路包括8TSRAM阵列、开关控制电路、近存计算逻辑、数据驱动控制电路和SRAM外围电路，所述SRAM外围电路包括SRAM接口电路、控制电路、行译码器和预充电电路，所述控制电路的第一输出端与所述预充电电路的输入端连接，所述控制电路的第二输出端与所述行译码器的输入端连接，所述行译码器的输出端与所述开关控制电路的输入端连接，所述开关控制电路的输出端与所述8TSRAM阵列的第一输入端连接，所述近存计算逻辑的输出端与所述数据驱动控制电路的输入端连接，所述数据驱动控制电路的输出端与所述8TSRAM阵列的第二输入端连接，所述预充电电路与所述8TSRAM阵列相互连接，其中： 所述8TSRAM阵列用于存储存内原子操作生成的数据和控制所述存内原子操作的计算； 所述开关控制电路用于控制SRAM模式和原子操作模式的切换； 所述近存计算逻辑用于控制所述存内原子操作的进位计算； 所述数据驱动控制电路用于控制若干所述存内原子操作； 所述SRAM外围电路用于控制所述存内原子操作的数据读取、控制所述存内原子操作的数据计算以及控制所述存内原子操作的数据存储； 所述近存计算逻辑由若干近存计算单元级联形成，所述近存计算单元包括第三与非门、第四与非门、第五与非门、第一与门、第二与门和第三同或门，其中，所述第一与门的输出端、所述第三同或门的输入端与所述第三与非门的输入端连接，所述第二与门的输出端与所述第四与非门的输入端连接，所述第三与非门的输出端与所述第五与非门的第一输入端连接，所述第四与非门的输出端与所述第五与非门的第二输入端连接。

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