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龙图腾网获悉中山大学申请的专利一种具备光场相位调制的硫系相变超构表面器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118897413B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411220106.2，技术领域涉及：G02F1/01；该发明授权一种具备光场相位调制的硫系相变超构表面器件是由李朝晖;褚珞耀;李焱;姚舜禹设计研发完成，并于2024-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具备光场相位调制的硫系相变超构表面器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种具备光场相位调制的硫系相变超构表面器件。由下至上依次包括：介质衬底、反射层、介质隔离层、硫系相变微结构以及介质保护层；通过调整硫系相变超构表面器件的几何参数，使得当所述硫系相变微结构为非晶态时所支持的介质共振模式的共振中心波长靠近目标波长，降低晶化后的硫系相变微结构在目标波长的吸收，以提高硫系相变超构表面器件的空间光场相位调制效率。本发明提供的一种具备光场相位调制的硫系相变超构表面器件，在保证一定的相位调制深度的基础上，降低晶化后的硫系相变微结构在目标波长的吸收，提高了硫系相变超构表面在硫系相变材料的相变过程中的最小反射率，从而提高硫系相变超构表面的空间光场相位调制的效率。

本发明授权一种具备光场相位调制的硫系相变超构表面器件在权利要求书中公布了：1.一种具备光场相位调制的硫系相变超构表面器件，其特征在于，由下至上依次包括：介质衬底1、反射层2、介质隔离层3、硫系相变微结构4以及介质保护层5；所述硫系相变微结构4的材料为硫系相变材料；通过调整硫系相变超构表面器件的几何参数，使得介质共振模式在硫系相变材料的相变过程中始终处于过耦合状态以及当所述硫系相变微结构4为非晶态时所支持的介质共振模式的共振中心波长靠近目标波长，降低晶化后的硫系相变微结构在目标波长的吸收，以提高硫系相变超构表面器件的空间光场相位调制效率；所述硫系相变微结构4所支持的介质共振模式的共振中心波长随所述硫系相变微结构4的晶化率的提高而逐渐红移；所述介质隔离层3使共振模式远离所述反射层2以减少所述反射层2的吸收；所述介质保护层5保护硫系相变微结构4将共振模式远离所述反射层2以减少所述反射层2的吸收；所述几何参数包括周期、各层的纵向厚度、以及硫系相变微结构4的横向尺寸。

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