厦门海辰储能科技股份有限公司文佳琪获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门海辰储能科技股份有限公司申请的专利复合补钠剂、正极片及其制备方法、用电设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118867218B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310482926.8，技术领域涉及：H01M4/485；该发明授权复合补钠剂、正极片及其制备方法、用电设备是由文佳琪;张国栋;柯梦晶;龚琳辉设计研发完成，并于2023-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本复合补钠剂、正极片及其制备方法、用电设备在说明书摘要公布了：本发明涉及储能装置技术领域，尤其涉及一种补钠剂、正极片及其制备方法、用电设备。该复合补钠剂位于钠离子储能装置的正极片，复合补钠剂包括：第一补钠剂和第二补钠剂，第一补钠剂具有第一氧化电位，第二补钠剂具有第二氧化电位，第一氧化电位小于3.9V，第二氧化电位为3.9V～4.4V。由于复合补钠剂设置于正极片，具有易于操作加工、减少处理工序、无苛刻加工条件等优势，能够实现产业化应用。另外，该复合补钠剂具有较为全面的补钠功能，能够形成一定的氧化电位梯度，实现梯度补钠的效果。能够让钠离子储能装置在初始化成阶段到后续循环充放电阶段，实现全阶段的补钠，进而从化成到循环充放电的整个过程来提高钠离子储能装置的电化学性能。
本发明授权复合补钠剂、正极片及其制备方法、用电设备在权利要求书中公布了：1.一种钠离子储能装置的正极片，其特征在于，所述正极片包括复合补钠剂； 所述复合补钠剂包括：第一补钠剂和第二补钠剂，所述第一补钠剂具有第一氧化电位，所述第二补钠剂具有第二氧化电位，所述第一氧化电位小于3.9V，所述第二氧化电位为3.9V~4.4V； 所述正极片包括正极集流体、以及设于所述正极集流体上的正极活性材料层和补钠层，所述正极活性材料层包括所述第二补钠剂，所述补钠层包括所述第一补钠剂。
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