深圳市安信达存储技术有限公司李修录获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市安信达存储技术有限公司申请的专利封装电路模块及模块封装方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118843259B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410922240.0,技术领域涉及:H05K1/18;该发明授权封装电路模块及模块封装方法是由李修录;朱小聪;尹善腾设计研发完成,并于2024-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装电路模块及模块封装方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种封装电路模块及模块封装方法,该封装电路模块包括第一印刷电路板和至少一个芯片封装模块,第一印刷电路板包括:至少一个预设区域,至少一个预设区域与至少一个芯片封装模块一一对应匹配,以使每个芯片封装模块封装于与每个芯片封装模块对应的预设区域;电路网络,电路网络将控制芯片封装模块和缓存芯片封装模块以及闪存芯片封装模块电连接。本申请通过在第一印刷电路板上设置与芯片封装模块匹配的预设区域,对于不同的电路设计都能够在统一的预设区域对与预设区域匹配的芯片封装模块进行封装,不用调整封装流程,从而能够提高封装的效率。
本发明授权封装电路模块及模块封装方法在权利要求书中公布了:1.一种封装电路模块,其特征在于,包括第一印刷电路板和至少一个芯片封装模块,所述至少一个芯片封装模块包括控制芯片封装模块、缓存芯片封装模块和闪存芯片封装模块,所述第一印刷电路板包括: 至少一个预设区域,所述至少一个预设区域与所述至少一个芯片封装模块一一对应匹配,以使每个所述芯片封装模块封装于与每个所述芯片封装模块对应的所述预设区域,其中,所述至少一个预设区域包括控制区域、缓存区域和闪存区域,所述控制区域与所述控制芯片封装模块对应匹配,所述缓存区域与所述缓存芯片封装模块对应匹配,所述闪存区域与所述闪存芯片封装模块对应匹配; 电路网络,所述电路网络将所述控制芯片封装模块和所述缓存芯片封装模块以及所述闪存芯片封装模块电连接; 每个所述芯片封装模块包括多个引脚,每个所述芯片封装模块的引脚在所述电路网络中都具有匹配的第一接口; 所述芯片封装模块包括输入输出引脚,所述输入输出引脚在所述电路网络中具有匹配的第一输入接口; 所述电路网络包括转换电路模块,所述转换电路模块包括至少一个第二接口,不同的所述第二接口对应不同工作电压的所述芯片封装模块,所述转换电路模块包括多组电阻模块,每个所述第二接口对应接入一组电阻模块或短路一组电阻模块,通过选择在所述电路网络中接入或短路不同的第二接口对应的电阻模块调整所述第一输入接口处的电压; 所述第一输入接口根据所述芯片封装模块的工作电压与其中一个所述第二接口电连接,不同的所述第二接口采用不同电阻的跳线与对应的所述第一输入接口电连接; 所述预设区域上设置有预设框架,所述预设框架用于容纳堆叠的至少两个与所述预设区域对应匹配的所述芯片封装模块; 所述预设框架包括电连接结构,当在所述预设框架中堆叠至少两个所述芯片封装模块时,至少两个所述芯片封装模块通过所述电连接结构与所述电路网络电连接; 至少两个所述芯片封装模块之间通过所述电连接结构电连接;其中,所述预设框架中通过多个第一电连接结构构建预设区域的子电路网络,所述子电路网络将预设框架中的至少两个芯片封装模块之间电连接,并且用于实现预设区域对应的功能,所述多个第一电连接结构之间互相连接。
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