西安电子科技大学刘海霞获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利频率可调的频率-极化双模VO2毫米波/太赫兹超表面单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118783130B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410998412.2，技术领域涉及：H01Q15/00；该发明授权频率可调的频率-极化双模VO2毫米波/太赫兹超表面单元是由刘海霞;雷高谋;李锐杰;冯强;韩家奇;李龙设计研发完成，并于2024-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本频率可调的频率-极化双模VO2毫米波/太赫兹超表面单元在说明书摘要公布了：本发明公开了一种频率可调的频率‑极化双模VO2毫米波太赫兹超表面单元，主要解决现有超表面单元功能单一且不可调控的问题，以及规避现有二氧化钒激励方式复杂且需要高精度的问题。该单元包括地板1、衬底2，衬底上分别涂覆开口环3，极化开关4，频率微扰开关5和离散贴片环6，极化开关4与开口环3形成完整的圆环且外半径小于频率微扰开关5的内半径，离散贴片环6的宽度范围处于频率微扰开关5的宽度范围之内。本发明能实现一个单元调控两种电磁特性的功能，并且只需对单元进行整体加热即可实现单元功能，可用于太赫兹通信、毫米波通信以及6G通信。
本发明授权频率可调的频率-极化双模VO2毫米波/太赫兹超表面单元在权利要求书中公布了：1.一种频率可调的频率-极化双模VO2毫米波太赫兹超表面单元，包括地板1，衬底2，衬底2上分别涂覆开口环3、极化开关4、频率微扰开关5以及离散贴片环6，其特征在于： 所述极化开关4位于开口环3的开口上，将开口环3的开口处空间填满，形成完整的圆环，该圆环外半径小于频率微扰开关5内半径，R1+R2＜R3，R1为开口环3和极化开关4构成圆环的内半径，R2为开口环3和极化开关4构成圆环的宽度，R3为频率微扰开关5的内半径； 所述极化开关4和频率微扰开关5采用二氧化钒材料； 所述离散贴片环6由多个贴片组成，所有贴片等间距均匀分布且关于衬底2的顶面中心点对称； 所述离散贴片环6穿过并有部分镶嵌于频率微扰开关5中，离散贴片环6的宽度不超过频率微扰开关5的宽度。
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