扬州扬杰电子科技股份有限公司代书雨获国家专利权
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龙图腾网获悉扬州扬杰电子科技股份有限公司申请的专利一种多沟道沟槽型MOSFET及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118645432B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410945474.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种多沟道沟槽型MOSFET及其制备方法是由代书雨;马倩倩;周理明;王毅设计研发完成，并于2024-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多沟道沟槽型MOSFET及其制备方法在说明书摘要公布了：一种多沟道沟槽型MOSFET及其制备方法，涉半导体技术领域。本发明通过特殊的结构设计，在不增加额外工艺步骤的条件下，创新型的在沟槽间隔区域形成P+沟道区、N‑耐压区、P+沟道区的结构，通过控制该结构中P+沟道区、N‑耐压区、P+沟道区的宽度和掺杂浓度，器件栅极不加电压，N‑耐压区被两侧P+沟道区完全耗尽，呈阻断状态，器件栅极加正电压，N‑耐压区从完全耗尽状态转变为正常导通状态，形成除栅氧下方反型层导电沟道之外的额外导电通道，进而减小沟槽型MOSFET的单位面积导通电阻。
本发明授权一种多沟道沟槽型MOSFET及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多沟道沟槽型MOSFET的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S100，外延片1包括从下到上依次层叠的N+衬底层11和N-耐压层12，在所述N-耐压层12内制备若干沿水平方向间隔的P+沟道层2，P+沟道层2间隔区域内的所述N-耐压层12被完全耗尽； 步骤S200，从所述P+沟道层2和所述P+沟道层2之间的所述N-耐压层12顶面向下延伸制备N+层3，所述N+层3的底面高于所述P+沟道层2的底面； 步骤S300，在外延片1内穿过所述P+沟道层2制备若干沟槽4，所述沟槽4的底面低于所述P+沟道层2的底面，高于所述N-耐压层12的底面； 步骤S400，在沟槽4内依次制备栅介质5和多晶硅6； 步骤S500，在外延片1上沉积隔离层7，并在相邻两所述N+层3及相邻两所述N+层3之间的所述N-耐压层12处和多晶硅6处分别开窗，分别制备S极电极8和G极电极9； 步骤S600，在外延片底部制备D极电极10，整个器件制备完毕。
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