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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种利用缺陷辅助提升有机发光二极管发光效率的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118591231B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410640120.1，技术领域涉及：H10K71/00；该发明授权一种利用缺陷辅助提升有机发光二极管发光效率的方法是由陈东成;祝畅设计研发完成，并于2024-05-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种利用缺陷辅助提升有机发光二极管发光效率的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种利用缺陷辅助提升有机发光二极管发光效率的方法，包括以下步骤：1将电致激基复合物中的电子给体材料沉积在ITO导电玻璃衬底表面，形成空穴传输层；2将电致激基复合物中的电子受体材料沉积在空穴传输层表面，形成电子传输层；3将电子注入材料沉积在电子传输层表面，形成电子注入层；4将电极材料沉积在电子注入层表面，形成阴极层；5采用飞秒脉冲激光从ITO导电玻璃衬底端对步骤4得到的器件进行照射直至器件表面出现明显的颜色变化。本发明通过利用飞秒脉冲激光照射有机发光二极管来提升器件的发光效率，操作简单便捷，无需改变有机发光二极管的结构和制备工艺，适用的电子给体材料种类丰富。

本发明授权一种利用缺陷辅助提升有机发光二极管发光效率的方法在权利要求书中公布了：1.一种利用缺陷辅助提升有机发光二极管发光效率的方法，其特征在于，包括以下步骤： 1将电致激基复合物中的电子给体材料沉积在ITO导电玻璃衬底表面，形成空穴传输层； 2将电致激基复合物中的电子受体材料沉积在空穴传输层表面，形成电子传输层； 3将电子注入材料沉积在电子传输层表面，形成电子注入层； 4将电极材料沉积在电子注入层表面，形成阴极层； 5采用飞秒脉冲激光从ITO导电玻璃衬底端对步骤4得到的器件进行照射直至器件表面出现颜色变化，得到有机发光二极管； 步骤1所述电子给体材料为4,4'-环己基二[N,N-二4-甲基苯基苯胺]、N,N'-二苯基-N,N'-二3-甲基苯基-1,1'-联苯-4,4'-二胺、9,9-双[4-二对甲苯基氨基苯基]-2,7-双9-咔唑基芴、聚9,9-二辛基芴基-2,7-二基-co-N,N0-二苯基-N,N'-二对丁基氧基苯基-1,4-二氨基苯、4,4'-二9-咔唑联苯中的至少一种； 步骤5所述飞秒脉冲激光的频率为500Hz～1000Hz，脉冲宽度为90fs～130fs，照射时间为30s～60s。

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