华南理工大学陈东成获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种热电子光电探测器及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118591196B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410625319.7，技术领域涉及：H10K30/60；该发明授权一种热电子光电探测器及其制备方法和应用是由陈东成;姜城设计研发完成，并于2024-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种热电子光电探测器及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种热电子光电探测器及其制备方法和应用。本发明的热电子光电探测器的组成包括依次层叠设置的透光衬底、透光阳极层、有机半导体层、电子注入层和阴极层。本发明的热电子光电探测器的制备方法包括以下步骤：1在透光衬底的单面覆盖阳极材料，形成透光阳极层；2采用热蒸镀法在透光阳极层表面依次沉积有机半导体层、电子注入层和阴极层，即得热电子光电探测器。本发明的热电子光电探测器可以实现从紫外到近红外的宽谱带响应，且其结构简单、制备流程少、制备工艺简单，适合进行大规模工业化应用。
本发明授权一种热电子光电探测器及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种热电子光电探测器，其特征在于，组成包括依次层叠设置的透光衬底、透光阳极层、有机半导体层、电子注入层和阴极层；所述有机半导体层包含以下有机半导体材料中的至少一种： ； 所述电子注入层的组成包括LiF、CsF、Li2O中的至少一种； 所述阴极层的组成包括Al、Ba、Ca、Cs中的至少一种。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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