上海大学陈家俊获国家专利权
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龙图腾网获悉上海大学申请的专利一种空位填充型赫斯勒热电材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118574492B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410639208.1，技术领域涉及：H10N10/853；该发明授权一种空位填充型赫斯勒热电材料及其制备方法是由陈家俊;骆军;董子睿设计研发完成，并于2024-05-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种空位填充型赫斯勒热电材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种空位填充型赫斯勒热电材料及其制备方法，其化学式为：Nb0.75Ti0.25FeCrxSb，其中x取值范围为0≤x≤0.1；采用高能球磨HEBM与火花等离子体烧结SPS以及退火的方法制备出呈类赫斯勒结构的纯相，该合金表现出与半导体型半赫斯勒合金类似的优异热电性能，其中x＝0.1的成分存在最高zT值，且在973K时达到最大值1.21。表明了空位填充作为优化HH化合物热电性能策略的有效性。低热导率和高电学性能在该化合物中的成功结合，为先进热电材料的发展提供了一条有希望的途径。
本发明授权一种空位填充型赫斯勒热电材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种空位填充型赫斯勒热电材料，其特征在于，所述空位填充型赫斯勒热电材料由基本框架和填充原子组成，所述填充原子位于晶体结构的4d位置，所述填充原子为Cr原子； 所述空位填充型赫斯勒热电材料的化学式为NbyTizFeCrxSb，其中，y取值范围为0.75≤y≤1，z取值范围为0≤z≤0.25，x取值范围为0x≤0.1。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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