南方科技大学程鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉南方科技大学申请的专利一种基于IGZO薄膜阻变的多级存储器单元及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118475222B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410570543.0，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权一种基于IGZO薄膜阻变的多级存储器单元及其制备方法是由程鑫;彭辉仁;马续航设计研发完成，并于2024-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于IGZO薄膜阻变的多级存储器单元及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及微电子器件领域，特别是涉及一种基于IGZO薄膜阻变的多级存储器单元及其制备方法。其中，基于IGZO薄膜阻变的多级存储器单元包括底部电极层，所述底部电极层为Ti，所述底部电极层上设有底部电极氧化层，所述底部电极氧化层为TiO2。本发明能有效改善IGZO薄膜阻变存储器单元的多级存储性能。
本发明授权一种基于IGZO薄膜阻变的多级存储器单元及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于IGZO阻变的多级存储器单元，其特征是：包括底部电极层S4，所述底部电极层S4为Ti，所述底部电极层S4上设有底部电极氧化层S5，所述底部电极氧化层S5为TiO2； 从下到上依次包括氧化硅片衬底S1、底部引线黏附层S2、底部引线层S3、所述底部电极层S4、所述底部电极氧化层S5、介质层S6和顶部电极层S7； 所述氧化硅片衬底S1中SiO2氧化层厚度为200-500nm；所述底部引线黏附层S2厚度为2-5nm，所述底部引线层S3厚度为15-20nm，所述底部电极层S4为25-35nm，所述底部电极氧化层S5厚度为3-6nm，所述介质层S6材料层厚度为15-35nm，所述顶部电极层S7厚度为50-100nm； 所述底部电极氧化层S5通过电感耦合氧等离子体表面氧化法制备得到。
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