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龙图腾网获悉东北大学;东大有色固废技术研究院(辽宁)有限公司申请的专利一种涡流热电耦合制备铜硅合金的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118406908B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410460149.1，技术领域涉及：C22C1/02；该发明授权一种涡流热电耦合制备铜硅合金的方法是由张廷安;安旺;豆志河;姜涵;张子木;刘燕;姜宇飞;王坤设计研发完成，并于2024-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种涡流热电耦合制备铜硅合金的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种涡流热电耦合制备铜硅合金的方法，属于冶金技术领域。以金属纯铜为原料，通过感应炉电热快速熔化得到铜熔体，在机械搅拌的作用下在铜熔体中产生涡流；以SiO2为原料，Mg粉为还原剂，混合物料通过搅拌产生的涡流引入铜熔体中，发生镁热还原反应原位生成Si单质，通过机械搅拌使其弥散分布于Cu熔体中，外加感应线圈进行保温熔炼，使得还原熔渣与铜硅熔体充分分离，其中原料中过量SiO2，使过量的SiO2和MgO造渣，并使MgO‑SiO2熔炼渣覆盖于铜熔体之上，隔绝空气起到保护作用。将熔体上层的MgO‑SiO2熔炼渣在一定温度下采用溢流排渣法排出，添加Al2O3混匀后制备MgO‑SiO2‑Al2O3耐火材料，下层均质CuSi合金熔体经水冷结晶器进行快速冷却，全程无废弃物排放，实现清洁制备铜硅合金。

本发明授权一种涡流热电耦合制备铜硅合金的方法在权利要求书中公布了：1.一种涡流热电耦合制备铜硅合金的方法，其特征在于，包括以下步骤： 1以金属铜为原料，通过感应加热到1250-1300℃熔化获得铜熔体，采用涡流机械搅拌在铜熔体内形成涡流； 2将SiO2粉在150℃烘干24h后与Mg粉混合，得到的混合物料进行球磨再压坯后，通过涡流方式加入铜熔体，混合物料在熔体高温环境下和涡流搅拌作用下发生还原反应，得到合金熔体，实现Si在Cu熔体中的原位添加，熔炼渣覆盖于CuSi熔体之上； 3将合金熔体在电磁场作用下进行加热熔炼，通过金属热还原获得Si单质，并在搅拌作用下得到均质的铜硅合金熔体和还原熔炼渣； 4将合金熔体上层的MgO·SiO2熔炼渣直接采用溢流排渣法排出，制备MgO-Al2O3-SiO2耐火材料；将合金熔体下层CuSi合金熔体浇铸冷却后，凝固得到CuSi合金铸锭； 步骤2SiO2的加入量为按化学反应方程1配比，确使合金中Si含量在18%~22%，即x在0.5-0.65mol之间；同时反应产生的MgO与过量的SiO2形成MgO·SiO2渣，使得渣的熔点在1500℃-1600℃之间； Cu+3xSiO2+2xMg=[Cu-xSi]+2xMgO·SiO21。

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