上海大学张继业获国家专利权
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龙图腾网获悉上海大学申请的专利一种高择优取向的CuAgSe材料及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118317678B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410486934.4，技术领域涉及：H10N10/01；该发明授权一种高择优取向的CuAgSe材料及其制备方法与应用是由张继业;蔡德威;唐元瑞设计研发完成，并于2024-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高择优取向的CuAgSe材料及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高择优取向的CuAgSe材料及其制备方法与应用，制备方法为在惰性气氛下将Cu、Ag、Se单质置于密闭容器中并抽真空，得到真空物料；将所述真空物料在高温熔融状态下淬火处理，冷却后得到铸锭；将所述铸锭研磨成粉后置于尖头容器中并真空封管，在高温状态下进行二次熔融‑退火处理，冷却后得到尖头柱状材料；将所述尖头柱状材料再次放入尖头容器中，进行真空封管，通过光学浮区法进行晶体生长，降温后得到尖头柱状铸锭，即CuAgSe材料，制备完成。与现有技术相比，本发明制备的CuAgSe材料是以正交相为主的多晶层状材料，符合热导率和电导率解耦的要求，对相似的体系制备出择优取向较好的晶体和横向热电效应的发展具有重要的实际意义。
本发明授权一种高择优取向的CuAgSe材料及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种高择优取向的CuAgSe材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1真空密封：在惰性气氛下将Cu、Ag、Se单质置于密闭容器中并抽真空，得到真空物料； 2淬火处理：将所述真空物料在高温熔融状态下淬火处理，冷却后得到铸锭； 3二次熔融-退火处理：将所述铸锭研磨成粉后置于尖头容器中并真空封管，在高温状态下进行二次熔融-退火处理，冷却后得到尖头柱状材料； 4光学浮区法晶体生长：将所述尖头柱状材料再次放入尖头容器中，进行真空封管，通过光学浮区法进行晶体生长，降温后得到尖头柱状铸锭，即CuAgSe材料，制备完成，所述CuAgSe材料的组成化学式为CuAgSe； 在步骤4中，光学浮区法晶体生长在光学浮区炉中进行，功率为10%~30%，晶体生长速度为0.4~0.5mmh。
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