中国矿业大学(北京)金奕千获国家专利权
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龙图腾网获悉中国矿业大学(北京)申请的专利禁带宽度可调节的氧化石墨烯半导体薄膜的制备方法、氧化石墨烯半导体薄膜及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118306986B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410423561.6，技术领域涉及：C01B32/198；该发明授权禁带宽度可调节的氧化石墨烯半导体薄膜的制备方法、氧化石墨烯半导体薄膜及其应用是由金奕千;彭苏萍;杨志宾;熊星宇设计研发完成，并于2024-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本禁带宽度可调节的氧化石墨烯半导体薄膜的制备方法、氧化石墨烯半导体薄膜及其应用在说明书摘要公布了：本发明提供了禁带宽度可调节的氧化石墨烯半导体薄膜的制备方法、氧化石墨烯半导体薄膜及其应用。所述制备方法包括以下步骤：采用超声雾化喷涂的方式将氧化石墨烯溶液喷涂至基底的表面，并同步进行热处理，制备得到禁带宽度可调节的氧化石墨烯半导体薄膜；其中，所述热处理的温度为120～340℃。本发明所述氧化石墨烯半导体薄膜的制备方法采用了超声雾化喷涂同步热处理的方法，这种方法通过不断堆叠氧化石墨烯片层，并在堆叠片层的同时对氧化石墨烯的禁带宽度进行调整，最终可以得到结构完整、均一性良好、禁带宽度可控，导电性能优异、厚度为百纳米到微米级的氧化石墨烯半导体薄膜。
本发明授权禁带宽度可调节的氧化石墨烯半导体薄膜的制备方法、氧化石墨烯半导体薄膜及其应用在权利要求书中公布了：1.一种禁带宽度可调节的氧化石墨烯半导体薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤： 先将基底加热至第一热处理温度，并在该热处理温度下将氧化石墨烯溶液第一次超声雾化喷涂至基底表面，形成第一接触层；其中，所述第一热处理温度为高于有机溶剂的气化点温度20~40℃的温度； 再将基底加热至第二热处理温度，并在第二热处理温度下将氧化石墨烯溶液第二次超声雾化喷涂至第一接触层表面，形成第二接触层；其中，所述第二热处理温度为120~340℃。
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