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龙图腾网获悉福建晶安光电有限公司申请的专利一种衬底、衬底的形成方法及发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118117013B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311864273.6，技术领域涉及：H10H20/81；该发明授权一种衬底、衬底的形成方法及发光二极管是由张佳浩;洪嘉悦;曾柏翔;李瑞评;杨胜裕设计研发完成，并于2023-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种衬底、衬底的形成方法及发光二极管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种衬底、衬底的形成方法及发光二极管，衬底包括改性层及本体层，改性层自衬底的第一表面沿垂直于衬底的方向向第二表面延伸。本体层自改性层远离第一表面的一侧向第二表面的方向延伸，本体层远离改性层的一侧形成为衬底的第二表面。改性层包括除本体层外的扩散元素，该扩散元素能够改变衬底表面的晶格参数，保证衬底的晶型不变，降低衬底与外延层的晶格失配及外延层的位错密度。本发明在形成改性层时，对衬底做了退火处理，进而改性层的掺杂原子含量和晶格参数沿衬底的第一表面至第二表面逐渐产生变化，大幅度提高了与外延层的晶格匹配度，并改善了衬底残留应力过大导致高温翘曲发散的问题，优化了外延层的内量子效率和波长均匀性。

本发明授权一种衬底、衬底的形成方法及发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种衬底，其特征在于，所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面，所述衬底包括： 改性层，自所述衬底的第一表面沿垂直于所述衬底的方向向所述第二表面延伸； 本体层，自所述改性层远离所述第一表面的一侧向所述第二表面的方向延伸，所述本体层远离所述改性层的一侧形成为所述衬底的第二表面； 其中，所述改性层中包含所述本体层中的元素以及除所述本体层中包含的元素之外的扩散元素，所述扩散元素包括Al、Ga、In、N中的至少一种； 所述改性层的材料为Al1-x-yGaxIny2O1-zNz3，其中，z≧x+y，0≤x，0≤y； 沿所述衬底的第一表面至所述第二表面的方向上，所述改性层中x、y、z的数值逐渐降低至零，所述扩散元素的扩散深度在0nm~200nm的范围内时，x的百分比介于50%~80%，y的百分比介于10%~25%，z的百分比介于60%~100%，所述扩散元素的扩散深度在200nm~400nm范围内时，x的百分比介于30%~50%，y的百分比介于0%~10%，z的百分比介于30%~60%。

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