中国人民解放军国防科技大学刘东青获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种具有光谱选择性的辐射制冷陶瓷材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118108486B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410121335.2，技术领域涉及：C04B35/04；该发明授权一种具有光谱选择性的辐射制冷陶瓷材料及其制备方法是由刘东青;王新飞;万中伊欣;程海峰;余金山设计研发完成，并于2024-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有光谱选择性的辐射制冷陶瓷材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有光谱选择性的辐射制冷陶瓷材料及其制备方法，具体是一种梯度多孔MgO陶瓷材料，并通过计算优化了陶瓷的孔隙尺寸和孔隙率等参数，最后采用无压烧结工艺完成了陶瓷的制备。本发明解决了现有光谱选择性辐射制冷材料选择性不突出、结构工艺复杂和成本较高的问题，推动了光谱选择性辐射制冷材料在建筑领域的实际应用。
本发明授权一种具有光谱选择性的辐射制冷陶瓷材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有光谱选择性的辐射制冷陶瓷材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤： 1研磨：称取轻质MgO放入研钵中研磨，确保没有结块，然后将研磨后的粉体倒入模具中振实，确保粉体表面相对平整； 2压片：将上步骤的模具放入压片机中，施加压力为60-80MPa并保压1-3min，而后脱模获得MgO生胚； 3烧结：将上步骤得到的MgO生胚放入马弗炉中进行无压烧结，首先以10℃min的速率升温至150℃，保温20-30min去除水分，然后以10℃min的速率升温至800℃，进行预烧20-30min，最后以5℃min的速率升温至1500℃，保温30-60min进行致密化烧结，得到具有光谱选择性的辐射制冷陶瓷材料，是一种梯度多孔MgO陶瓷材料，所述的梯度多孔陶瓷材料具有至少20μm深的致密表面，内部含有孔径分布在0.1-1μm的孔隙率为5％-15％的空气孔隙，具有0.90以上的太阳反射率和红外窗口发射率，同时光谱选择性达1.65以上，平均接触角为43°。
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