上海大学李俊获国家专利权
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龙图腾网获悉上海大学申请的专利一种多离子调控的突触晶体管及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117897044B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410058656.2，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种多离子调控的突触晶体管及其制备方法和应用是由李俊;温胜凯;张建华设计研发完成，并于2024-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多离子调控的突触晶体管及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于晶体管技术领域，具体涉及一种多离子调控的突触晶体管及其制备方法和应用。本发明在固态电解质中掺入多种金属盐，利用多种离子调控，金属盐中的金属离子在正栅电压的作用下迁移到介质层和沟道层的界面，从而诱导出沟道层中的电子；当电压撤去后，离子并不会立刻回到初始位置，而是具有一定的弛豫，从而使得沟道层的电导可以发生短时程或者长时程的改变；其中，质量较小的金属离子如钠离子和锂离子等，弛豫时间较短，有利于短期记忆的模拟，质量较大的金属离子如钙离子、钾离子和锌离子等，弛豫时间较长，有利于模拟长期记忆。本发明的突触晶体管可以更加完善地模拟突触特性，实现双脉冲易化、短时程记忆和长时程记忆等学习记忆行为。
本发明授权一种多离子调控的突触晶体管及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种多离子调控的突触晶体管，其特征在于，包括底栅结构的突触晶体管或顶栅结构的突触晶体管，所述顶栅结构的突触晶体管从下到上依次包括衬底、沟道层、源漏电极、介质层和栅电极；所述底栅结构的突触晶体管从下到上依次包括衬底、栅电极、介质层、沟道层和源漏电极； 所述介质层的材质为固态电解质金属盐化学复合物； 所述金属盐包括大质量金属盐和小质量金属盐；所述大质量金属盐包括镁盐、钙盐、铝盐、锌盐和钾盐中的一种或几种；所述小质量金属盐包括锂盐和钠盐中的一种或几种。
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