福建晶安光电有限公司李彬彬获国家专利权
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龙图腾网获悉福建晶安光电有限公司申请的专利复合图形化衬底结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117832351B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311862914.4，技术领域涉及：H10H20/819；该发明授权复合图形化衬底结构及制备方法是由李彬彬;吴福仁;巫婷;李瑞评设计研发完成，并于2023-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本复合图形化衬底结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，涉及一种复合图形化衬底结构及制备方法，其包括衬底和外延层，外延层设置在衬底上表面，外延层内设有N层图形结构N≥2且为整数，N层图形结构自下往上间隔设置，N层图形结构的俯视并集正投影完全覆盖衬底上表面，第N层图形结构的图形周期小于第N‑1层图形结构的图形周期，借此，通过对不同层级的图形结构设定了不同的图形直径和图形周期，越上层图形直径越小，周期越小，这样的设计显著减小之后外延层的生长缺陷，提高外延生长的质量。
本发明授权复合图形化衬底结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种复合图形化衬底结构，其特征在于：包括： 衬底； 外延层，所述外延层设置在所述衬底上表面，所述外延层内设有N层图形结构，N≥2且为整数,N层图形结构自下往上间隔设置且越上层图形结构的图形直径越小； N层图形结构的俯视并集正投影完全覆盖所述衬底上表面，第N层图形结构的图形周期小于第N-1层图形结构的图形周期，且第N层图形结构的图形周期满足以下条件： 其中，为所述第N-1层图形结构的图形周期，为所述第N-1层图形结构的图形直径。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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