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龙图腾网获悉大连科利德光电子材料有限公司申请的专利二碘硅烷的提纯方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117735557B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311750938.0，技术领域涉及：C01B33/107；该发明授权二碘硅烷的提纯方法是由赵毅;阮树堃;于洪涛;祁睿锐;刘颖设计研发完成，并于2023-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本二碘硅烷的提纯方法在说明书摘要公布了：本发明涉及电子前驱体提纯领域，尤其涉及二碘硅烷的提纯方法，所述提纯方法包括以下步骤：S.1去除精馏纯化器中残留的空气；S.2将粗品二碘硅烷置于精馏纯化器中，逐渐降低精馏纯化器的温度至二碘硅烷的凝固临界温度，并在搅拌条件下向粗品二碘硅烷中持续通入携带气体；S.3进一步降低精馏纯化器的温度使得二碘硅烷凝固，同时对精馏纯化器内部进行减压处理，从而除去低沸点杂质；S.4对二碘硅烷进行精馏处理，收集馏分得到电子级二碘硅烷。本申请中通过在精馏过程中通过精准降低精馏纯化器中的温度至二碘硅烷的凝固临界温度以及凝固点以下的温度，从而能够有效降低粗品二碘硅烷中的低沸点杂质含量，最终制备得到电子级二碘硅烷。

本发明授权二碘硅烷的提纯方法在权利要求书中公布了：1.二碘硅烷的提纯方法，其特征在于，包括以下步骤： S.1在精馏纯化器中进行抽真空以及通入携带气体的循环步骤，从而去除精馏纯化器中残留的空气； S.2将粗品二碘硅烷置于精馏纯化器中，逐渐降低精馏纯化器的温度至二碘硅烷的凝固临界温度，并在搅拌条件下向粗品二碘硅烷中持续通入携带气体； S.3进一步降低精馏纯化器的温度使得二碘硅烷凝固，同时对精馏纯化器内部进行减压处理，从而除去低沸点杂质； S.4同时提升精馏纯化器内部温度以及压力，对二碘硅烷进行精馏处理，收集馏分得到电子级二碘硅烷； 所述精馏纯化器中还填充有聚酰亚胺硅酸盐复合纳米纤维膜； 所述聚酰亚胺硅酸盐复合纳米纤维膜的制备方法包括以下步骤： 1将二酐单体、二胺单体和硅酸盐与溶剂中混合，反应得到聚酰胺酸硅酸盐混合溶液； 2将聚酰胺酸硅酸盐混合溶液进行静电纺丝，得到聚酰胺酸硅酸盐纳米纤维膜； 3将聚酰胺酸硅酸盐纳米纤维膜进行热亚胺化反应，得到聚酰亚胺硅酸盐复合纳米纤维膜。

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