中物院成都科学技术发展中心刘显波获国家专利权
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龙图腾网获悉中物院成都科学技术发展中心申请的专利一种中介电常数陶瓷粉体及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117645477B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311510048.2，技术领域涉及：C04B35/48；该发明授权一种中介电常数陶瓷粉体及其制备方法是由刘显波;刘彤;李寅川;李绍敏;王正上;崔旭东设计研发完成，并于2023-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种中介电常数陶瓷粉体及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及高性能陶瓷粉体技术领域，具体涉及一种中介电常数陶瓷粉体及其制备方法，包括如下步骤：S1.将MgO和ZrO2球磨后干燥过筛，再进行预烧得到一级MgZrO3粉体；S2.将CaO和ZrO2球磨后干燥过筛，再进行预烧得到一级CaZrO3粉体；S3.将一级MgZrO3粉体和一级CaZrO3粉体混合并进行二级球磨，二级球磨后干燥过筛，烧结后得到中介电常数陶瓷粉体。本发明根据元素本征特性关系，探索出具有良好介电性能的新型微波介质陶瓷材料新体系。
本发明授权一种中介电常数陶瓷粉体及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种中介电常数陶瓷粉体制备方法，其特征在于：包括如下步骤： S1.将MgO和ZrO2球磨后干燥过筛，再进行预烧得到一级MgZrO3粉体； S2.将CaO和ZrO2球磨后干燥过筛，再进行预烧得到一级CaZrO3粉体； S3.将一级MgZrO3粉体和一级CaZrO3粉体混合并进行二级球磨，二级球磨后干燥过筛，烧结后得到中介电常数陶瓷粉体； 所述二级球磨中一级MgZrO3粉体和一级CaZrO3粉体加入的摩尔比为0.56-2.33:1； 步骤S3中所述烧结为以2℃min的升温速率加热到500℃保温2h，再以2℃min的升温速率加热到1300℃保温4h。
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