福建晶安光电有限公司吴福仁获国家专利权
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龙图腾网获悉福建晶安光电有限公司申请的专利一种图形化衬底结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117637947B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311647767.9，技术领域涉及：H10H20/814；该发明授权一种图形化衬底结构及制备方法是由吴福仁;李瑞评;李彬彬;巫婷设计研发完成，并于2023-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种图形化衬底结构及制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，提供一种图形化衬底结构及制备方法，图形化衬底结构由下至上依次包括衬底层及若干个均匀分布于衬底层的光学薄膜结构；其中，光学薄膜结构的侧面为若干条相同的第一外凸弧线组成的第一弧形面，若干条第一外凸弧线从光学薄膜结构下表面边缘延伸相交于光学薄膜的顶点，光学薄膜结构的折射率小于衬底层的折射率。本申请的图形化衬底结构，其侧壁为外凸弧线组成的弧形面，并且将弧边矩限定在一定范围内，相较于平的侧壁，光线更容易发生全反射，同时侧壁的外扩增大了低折射区的有效面积，提高了光提取能力。
本发明授权一种图形化衬底结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种图形化衬底结构，其特征在于：包括衬底层及若干个均匀分布于所述衬底层的光学薄膜结构，所述衬底层由下至上依次包括基部和过蚀刻部，所述光学薄膜结构设置于所述过蚀刻部的上表面； 其中，所述光学薄膜结构的侧面为若干条相同的第一外凸弧线组成的第一弧形面，所述若干条第一外凸弧线从所述光学薄膜结构下表面边缘延伸相交于所述光学薄膜结构的顶点，所述光学薄膜结构的折射率小于所述衬底层的折射率； 所述第一外凸弧线延伸至所述基部上表面形成第二外凸弧线，第二外凸弧线与第一外凸弧线曲率半径相同，所述第二外凸弧线的弧边距和与所述第二外凸弧线端点相连线段长度的比值范围为0.04到0.12； 所述过蚀刻部的侧面为若干条相同的第三外凸弧线组成的第二弧形面；所述第一外凸弧线端点相连线段与所述光学薄膜层下表面呈第一角度；所述第三外凸弧线端点相连线段与所述过蚀刻部下表面呈第二角度；所述第二角度小于所述第一角度；所述第一角度与所述第二角度相差5°到20°。
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