晶科能源股份有限公司;晶科能源(海宁)有限公司冉超获国家专利权
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龙图腾网获悉晶科能源股份有限公司;晶科能源(海宁)有限公司申请的专利光伏电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117577735B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311541922.9，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权光伏电池及其制备方法是由冉超;苗劲飞;苗丽燕;曾庆云;邱彦凯;朱俊谋设计研发完成，并于2023-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本光伏电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了光伏电池及其制备方法，该光伏电池制备方法包括以下步骤：提供双面均为非晶硅层的硅片，双面包括相对设置的第一面和第二面；在硅片的第一面和第二面同时生长阻挡层，得到形成阻挡层的硅片；对形成阻挡层的硅片进行扩散处理，形成阻挡层的硅片的非晶硅层转变为多晶硅层，得到具有多晶硅层的硅片；处理具有多晶硅层的硅片，去除第一面的阻挡层和多晶硅层，去除第二面的阻挡层，得到光伏电池。本发明通过阻挡层使得磷原子的扩散速率保持一致，改善了多晶硅层中磷原子的掺杂均匀性，同时采用该方法制备的光伏电池光电转换效率和良品率均有较大提升。
本发明授权光伏电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种光伏电池制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供双面均为非晶硅层的硅片，所述双面包括相对设置的第一面和第二面； 在所述硅片的所述第一面和所述第二面同时生长阻挡层，得到形成阻挡层的硅片，包括采用扩散法生长阻挡层，其中，氧气的流量范围为10000sccm-30000sccm，温度范围为600℃-700℃； 对所述形成阻挡层的硅片进行扩散处理，所述形成阻挡层的硅片的非晶硅层转变为多晶硅层，得到具有多晶硅层的硅片； 处理所述具有多晶硅层的硅片，去除所述第一面的阻挡层和多晶硅层，去除所述第二面的阻挡层，得到光伏电池。
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