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龙图腾网获悉湖南大学申请的专利一种单层二硫化钼薄膜大尺寸生长制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117568777B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311436243.5，技术领域涉及：C23C16/30；该发明授权一种单层二硫化钼薄膜大尺寸生长制备方法是由李梓维;刘笑设计研发完成，并于2023-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单层二硫化钼薄膜大尺寸生长制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了单层二硫化钼薄膜大尺寸生长制备方法。其方法包括以下步骤：将惰性耐高温垫片上放置蓝宝石衬底于加热装置内，硫源、钼源置于加热装置内进行抽真空后通氮气，加热处理硫源、钼源以进行化学气相沉积反应，得二硫化钼薄膜；其中，惰性耐高温垫片是将干燥洁净的泡沫碳化硅浸泡于装有NaClO溶液的容器中，在真空条件下进行浸渍处理后干燥所得。本发明采用真空浸渍NaClO溶液的方法对反应体系中的惰性垫片进行处理，以此增加制备过程的可控性，实现了大尺寸、高质量二硫化钼单层薄膜的制备。

本发明授权一种单层二硫化钼薄膜大尺寸生长制备方法在权利要求书中公布了：1.一种单层二硫化钼薄膜大尺寸生长制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将惰性耐高温垫片上放置蓝宝石衬底于加热装置内，硫源、钼源置于加热装置内进行抽真空后通氮气，加热处理硫源、钼源以进行化学气相沉积反应，得二硫化钼薄膜；其中，惰性耐高温垫片是将干燥洁净的泡沫碳化硅浸泡于装有NaClO溶液的容器中，在真空下进行浸渍处理后干燥所得； 其中，NaClO溶液浓度为0.08-0.12molL，真空浸渍的真空度为85-90kPa； 所述制备方法包括以下具体步骤： S1：原料准备，所述原料包括蓝宝石衬底、钼源、硫源、惰性耐高温垫片； S2：将所述蓝宝石衬底置于丙酮溶液清洗后用异丙醇溶液再次清洗； S3：对清洗后的所述蓝宝石衬底采用浓硫酸和双氧水的混合溶液进行浸泡处理； S4：在所述惰性耐高温垫片上方放置S3浸泡处理的所述衬底，钼源放置于所述惰性耐高温垫片下方位于双温区管式气氛炉的下温区，所述硫源放置于双温区管式气氛炉的上温区；双温管式炉两端的端口需进行封装； S5：对双温区管式炉抽气；对所述钼源、硫源以及衬底进行加热，在所述双温区管式气氛炉的真空度达到3-5Pa时通入氮气，并使所述管式炉内的压强至0.1-1.0MPa范围内；随后采用化学气相沉积法生长二硫化钼薄膜； S6：生长完所述二硫化钼薄膜之后，随即继续加热进行保温，并逐渐降低温度，直至所述双温区管式气氛炉降至室温时，将瓷舟中的样品取出，得到大尺寸单层二硫化钼薄膜。

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