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龙图腾网获悉华为数字能源技术有限公司申请的专利一种氮化镓功率晶体管和用于制造氮化镓功率晶体管的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117561607B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180099908.0，技术领域涉及：H10D62/85；该发明授权一种氮化镓功率晶体管和用于制造氮化镓功率晶体管的方法是由吉尔伯托·库拉托拉设计研发完成，并于2021-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氮化镓功率晶体管和用于制造氮化镓功率晶体管的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种氮化镓功率晶体管100，包括：氮化镓缓冲层110，其包括顶表面和底表面，氮化镓缓冲层包括在顶表面处的第一区域101、第二区域102和第三区域103；氮化铝镓势垒层112，其沉积在氮化镓缓冲层的顶表面处；发射极接触，其在氮化铝镓缓冲层的第一区域上方在与氮化镓缓冲层在氮化铝镓缓冲层的界面处形成；第一p型掺杂氮化镓层113，其沉积在氮化镓缓冲层的第二区域上方的氮化铝镓势垒层处，第一p型掺杂氮化镓层形成氮化镓功率晶体管的栅极接触；以及第二p型掺杂氮化镓层114，其沉积在氮化镓缓冲层的第三区域上方，该第二p型掺杂氮化镓层形成氮化镓功率晶体管的集电极接触。

本发明授权一种氮化镓功率晶体管和用于制造氮化镓功率晶体管的方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓功率晶体管100，其特征在于，包括： 氮化镓缓冲层110，所述氮化镓缓冲层110包括顶表面110a和与所述顶表面110a相对的底表面110b，所述氮化镓缓冲层110包括在所述顶表面110a处的第一区域101、第二区域102和第三区域103； 氮化铝镓势垒层112，所述氮化铝镓势垒层112沉积在所述氮化镓缓冲层110的顶表面110a处； 发射极接触，所述发射极接触在所述氮化镓缓冲层110的第一区域101上方的所述氮化铝镓势垒层112与所述氮化镓缓冲层110的分界面处形成； 第一p型掺杂氮化镓层113，所述第一p型掺杂氮化镓层113沉积在所述氮化镓缓冲层110的第二区域102上方的所述氮化铝镓势垒层112处，所述第一p型掺杂氮化镓层113形成所述氮化镓功率晶体管100的栅极接触； 第二p型掺杂氮化镓层114，所述第二p型掺杂氮化镓层114沉积在所述氮化镓缓冲层110的第三区域103上方，所述第二p型掺杂氮化镓层114形成所述氮化镓功率晶体管100的集电极接触； 所述第二p型掺杂氮化镓层114沉积在所述氮化铝镓势垒层112的凹部内的所述氮化铝镓势垒层112处，所述凹部部分凹入所述氮化铝镓势垒层112。

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