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龙图腾网获悉中山大学申请的专利一种缺陷工程调控的过渡金属基纳米阵列电极及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117534182B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311329065.6，技术领域涉及：C25B11/091；该发明授权一种缺陷工程调控的过渡金属基纳米阵列电极及其制备方法与应用是由李萍;李凤丽;吳惠廣;黄钰淇;黄蕖骅;欧阳潇;杨含设计研发完成，并于2023-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种缺陷工程调控的过渡金属基纳米阵列电极及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明属于电催化氧化技术领域，具体涉及一种缺陷工程调控的过渡金属基纳米阵列电极及其制备方法与应用。该方法以集流体为载体，依次经溶剂热反应、硒化或碲化反应以及后续空位引入，得到兼具元素掺杂与空位的过渡金属基纳米阵列电极。元素掺杂协同空位工程可赋予所得过渡金属基纳米阵列电极的催化活性中心优化的电子结构，一方面可提高催化电极的本征催化活性，另一方面可降低含硫溶液中S2‑对金属催化活性位点的毒害作用。得益于上述结构组成优势，所得缺陷工程调控的过渡金属基纳米阵列电极在电催化硫化物氧化反应中展现出优异的活性和稳定性。

本发明授权一种缺陷工程调控的过渡金属基纳米阵列电极及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种缺陷工程调控的过渡金属基纳米阵列电极，其特征在于，包括以下步骤制备得到： S1、将混合过渡金属盐和沉淀剂加入溶剂中充分溶解，形成均一混合溶液，往所得混合溶液中加入集流体，并于80~250℃进行溶剂热反应，充分反应，后处理，得到集流体上原位生长的阵列前驱体； S2、将步骤S1所得阵列前驱体加入硒源或碲源溶液，于80~250℃进行液固反应；或在保护气体氛围中，于气体上游放入硒源或碲源，气体下游放入步骤S1所得阵列前驱体，于250~900℃下进行高温气固吹扫反应，得到集流体上原位生长的过渡金属基纳米阵列； S3、将步骤S2所得过渡金属基纳米阵列通过H2O2处理、H2处理或等离子体处理引入空位，即得缺陷工程调控的过渡金属基纳米阵列电极， 步骤S1中，所述混合过渡金属盐至少含有两种过渡金属盐，所述混合过渡金属盐中的主要过渡金属选自Fe、Mn、Co、Ni、Cu中的至少一种；所述混合过渡金属盐中的掺杂过渡金属选自Fe、Cu、Mn、Mo、W中的至少一种；所述混合过渡金属盐中的掺杂金属和主要金属的物质的量比为1：1～100。

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