西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司何江博获国家专利权
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龙图腾网获悉西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司申请的专利硅片载具厚度检测方法及装置、双面抛光设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117381668B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311609624.9，技术领域涉及：B24B49/10；该发明授权硅片载具厚度检测方法及装置、双面抛光设备是由何江博设计研发完成，并于2023-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅片载具厚度检测方法及装置、双面抛光设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种硅片载具厚度检测方法及装置、双面抛光设备。双面抛光设备包括相对设置的上研磨盘和下研磨盘，上研磨盘朝向下研磨盘的一侧设置有上抛光垫，下研磨盘朝向上研磨盘的一侧设置有下抛光垫，下抛光垫上设置有多个硅片载具，上研磨盘包括对应硅片载具的第一区域和除第一区域之外的第二区域，第一区域在下抛光垫上的正投影与硅片载具在下抛光垫上的正投影重合，硅片载具厚度检测装置，包括：设置在第一区域的第一电涡流传感器；设置在第二区域的第二电涡流传感器；处理器，用于根据第一电涡流传感器的检测数据和第二电涡流传感器的检测数据确定硅片载具的厚度。本发明能够实时监测硅片载具的厚度，避免硅片的厚度不达标。
本发明授权硅片载具厚度检测方法及装置、双面抛光设备在权利要求书中公布了：1.一种硅片载具厚度检测装置，其特征在于，应用于双面抛光设备，所述双面抛光设备包括相对设置的上研磨盘和下研磨盘，所述上研磨盘朝向所述下研磨盘的一侧设置有上抛光垫，所述下研磨盘朝向所述上研磨盘的一侧设置有下抛光垫，所述下抛光垫上设置有多个硅片载具，所述上研磨盘包括对应所述硅片载具的第一区域和除所述第一区域之外的第二区域，所述第一区域在所述下抛光垫上的正投影与所述硅片载具在所述下抛光垫上的正投影重合，所述硅片载具厚度检测装置包括： 设置在所述第一区域的第一电涡流传感器； 设置在所述第二区域的第二电涡流传感器； 处理器，用于根据所述第一电涡流传感器的检测数据和所述第二电涡流传感器的检测数据确定所述硅片载具的厚度。
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