中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学王洪获国家专利权
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龙图腾网获悉中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学申请的专利一种微尺寸LED正装阵列芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117116962B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311115998.5，技术领域涉及：H10H29/14；该发明授权一种微尺寸LED正装阵列芯片及其制备方法是由王洪;耿魁伟;徐香琴设计研发完成，并于2023-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种微尺寸LED正装阵列芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种微尺寸LED正装阵列芯片及其制备方法。所述正装阵列芯片采用共阴极，阳极单独控制的方式。每个发光单元由GaN基外延层制备而成，从下到上依次设置有衬底、n‑GaN层、绝缘介质层、p电极，绝缘介质层设置有多量子阱层、p‑GaN层。本发明采用选区生长的方式避免了干法刻蚀芯片导致的表面损伤。利用阳极电极与绝缘介质层构成侧壁场板，耗尽p‑GaN层边缘的载流子，降低器件边缘的空穴浓度。从而减弱器件边缘部分的非辐射复合，提高器件的空穴注入效率和外量子效率EQE。各个发光单元通过绝缘介质层和阳极电极相互隔离，可防止串扰，提高显示效果。
本发明授权一种微尺寸LED正装阵列芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种微尺寸LED正装阵列芯片，其特征在于，正装阵列芯片的外延层通过选区生长形成；所述外延层包括衬底1、n-GaN层2、和绝缘介质层5； 其中，n-GaN层2位于衬底1上，绝缘介质层5设置于n-GaN层2的上表面； 绝缘介质层5中，通过外延选区生长构成X行Y列的阵列的多个发光单元，每一个发光单元均包括多量子阱层3和p-GaN层4；每一个发光单元中，多量子阱层3位于n-GaN层2的上表面，p-GaN层4位于多量子阱层3的上表面； 各组发光单元被绝缘介质层5间隔开，同一行中相邻发光单元之间的绝缘介质层5中均设置有阳极电极7，所述阳极电极7和位于阳极电极7与发光单元之间的绝缘介质层5构成侧壁场板结构；相邻的两行发光单元之间设置有共阴极8。
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