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龙图腾网获悉东南大学申请的专利基于片上环路高阶补偿的内环电阻高阶补偿电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117055682B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311196193.8，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权基于片上环路高阶补偿的内环电阻高阶补偿电路是由方中元;樊浩男;范王琛;陈明刚;李泳佳;钱钦松;徐申;孙伟锋设计研发完成，并于2023-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于片上环路高阶补偿的内环电阻高阶补偿电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于片上环路高阶补偿的内环电阻高阶补偿电路，属于电压基准电路领域，通过电阻阵列实现对基准源进行修调的仅采用CMOS的电压基准电路，并通过内环的电阻高阶补偿实现低功耗和低温度系数，以恶劣环境开关电源电路作为典型应用，该拓扑结构提出的内环电阻高阶补偿可以显著降低温度系数，实现宽温度范围下工作。

本发明授权基于片上环路高阶补偿的内环电阻高阶补偿电路在权利要求书中公布了：1.一种基于片上环路高阶补偿的内环电阻高阶补偿电路，其特征在于，包括： 启动电路及偏置电路，用于进行电路的上电启动和提供偏置电压； 运算放大电路，用于实现输入的同向端和反向端锁定电压； 运算放大电路；所述运算放大电路包括第一N型三极管MN1和第二N型三极管MN2构成的差分对管，第五N型三极管MN5构成的尾电流源，第三P型三极管MP3和第四P型三极管MP4构成的电流镜负载，环路补偿电阻R1和环路补偿电容C1构成的环路补偿阻容；环路补偿阻容用于利用运放的虚短特性对第一调节电阻Ra1和MNx之间的温度系数进行高阶补偿； 其中，第一N型三极管MN1和第二N型三极管MN2的源端相互连接并与第五N型三极管MN5的漏端相连，第一N型三极管MN1和第二N型三极管MN2的栅端分别作为运算放大电路的同向输入端和反向输入端，并分别与第一调节电阻Ra1的一端以及MNx的栅端相连； 环路补偿电阻R1的一端与环路补偿电容C1的一端相连，环路补偿电阻R1的另一端与第一N型三极管MN1的漏端相连，环路补偿电容C1的另一端与第二N型三极管MN2的漏端相连； 第三P型三极管MP3的漏端与栅端相连的同时连接第一N型三极管MN1的漏端，第四P型三极管MP4的漏端与第二N型三极管MN2的漏端相连，第三P型三极管MP3和第四P型三极管MP4的源端共同外接电源电压，栅极相连组成电流镜负载，用于实现运算放大电路的差分对管栅端的双端输入转为运算放大电路的第二N型三极管MN2漏端与第四P型三极管MP4漏端处的单端输出； 第五N型三极管MN5的源端接地，栅端外接启动电路及偏置电路，漏端与差分对管的源极相连，用于定义运算放大电路的电流值； 电阻及ZTC-MOS补偿电路，所述电阻及ZTC-MOS补偿电路包括：MNx、第一P型三极管MP1、第二P型三极管MP2、第一调节电阻Ra1、第二调节电阻Ra2、第三调节电阻Ra3；MNx的栅端和Ra1分别接在运算放大电路的差分对管的两个栅极输入端，通过第一调节电阻Ra1定义MNx的栅端电压，同时通过第一P型三极管MP1、第二P型三极管MP2两个电流源为MNx提供电流值，通过第一调节电阻Ra1和MNx之间的高阶补偿实现具有低温漂系数输出的电压基准源，通过第二调节电阻Ra2、第三调节电阻Ra3调整MNx的源漏端电压以及调整输出电压基准值； 电阻阵列修调电路，用于通过三位修调点并通过三八译码器以及电阻开关阵列实现对第一调节电阻Ra1、第二调节电阻Ra2、第三调节电阻Ra3的八位精度修调，实现对PVT影响的减弱。

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