武汉理工大学罗国强获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉理工大学申请的专利一种具有梯度结构的Ti-Ta多层薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117026163B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310881547.6，技术领域涉及：C23C14/16；该发明授权一种具有梯度结构的Ti-Ta多层薄膜及其制备方法是由罗国强;高伟龙;张睿智;涂溶设计研发完成，并于2023-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有梯度结构的Ti-Ta多层薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种具有梯度结构的Ti‑Ta多层薄膜及其制备方法，所述具有梯度结构的Ti‑Ta多层薄膜由Ti薄膜层和Ta薄膜层交替叠加覆盖于Ta衬底材料得到，与Ta衬底材料直接接触的为Ta薄膜层，且从上之下，Ta薄膜层厚度逐渐有序增大，Ti薄膜层厚度逐渐有序减小。本发明提供的具有梯度结构的Ti‑Ta多层薄膜梯度结构明显，且层间结合紧密，薄膜在厚度方向上无明显空隙，具有超高的硬度和弹性模量，可用于镀层防护及刀具等领域。
本发明授权一种具有梯度结构的Ti-Ta多层薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有梯度结构的Ti-Ta多层薄膜，其特征在于，其由Ti薄膜层和Ta薄膜层交替叠加覆盖于Ta衬底材料得到，与Ta衬底材料直接接触的为Ta薄膜层，且从上至下，Ta薄膜层厚度逐渐有序增大，Ti薄膜层厚度逐渐有序减小； 所有Ti薄膜层总厚度为0.9~3μm，最薄的Ti薄膜层厚度为1~15nm，最厚的Ti薄膜层厚度为100~300nm，邻近的两层Ti薄膜层之间厚度之差为5~20nm； 所有Ta薄膜层总厚度为0.9~3μm，最薄的Ta薄膜层厚度为5~15nm，最厚的Ta薄膜层厚度为100~330nm，邻近的两层Ta薄膜层之间厚度之差为5~20nm。
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