中国科学院化学研究所李风廷获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院化学研究所申请的专利窄带隙N型有机半导体材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116947888B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210348874.0，技术领域涉及：C07D513/22；该发明授权窄带隙N型有机半导体材料及其制备方法和应用是由李风廷;樊新衡;高彩艳;杨联明设计研发完成，并于2022-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本窄带隙N型有机半导体材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种全新的且简单高效的如下式I所示N型有机半导体衍生物材料及其制备方法和应用，并且还制备了相应的中间体，利用该中间体合成的N型有机半导体衍生物材料可实现更低的带隙，进而能够在光电功能器件中获得更优的性能表现。
本发明授权窄带隙N型有机半导体材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.式I所示的化合物， I 其中， R1，R2相同或不同，彼此独立地选自C1-20烷基； R3和R6相同，选自H； R4和R5相同，选自卤素。
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