中国电子科技集团公司第十四研究所谢书珊获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十四研究所申请的专利一种基于三维异构叠层的电路封装结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116768142B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311002839.4,技术领域涉及:B81B7/00;该发明授权一种基于三维异构叠层的电路封装结构是由谢书珊;阮文州设计研发完成,并于2023-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于三维异构叠层的电路封装结构在说明书摘要公布了:一种基于三维异构叠层的电路封装结构,陶瓷基板的顶层边缘焊接金属围框,陶瓷基板的顶层中间焊接硅MEMS基板,金属围框的高度超过硅MEMS基板,金属围框的顶层焊接金属盖板,陶瓷基板、金属围框、金属盖板形成气密封装的腔体,MEMS基板在腔体内,陶瓷基板的顶层有焊盘,硅MEMS基板的底层有焊盘,都焊接内部BGA,陶瓷基板和硅MEMS基板的信号经过内部BGA互联,陶瓷基板的底层有焊盘,焊接外部BGA,陶瓷基板的信号经过外部BGA和其它基板互联,陶瓷基板和硅MEMS基板都是多层堆叠而成,有多个竖直通孔和多条水平布线,各通孔分别连接任意层,各布线在多层板的表面或内部,分别连接任意通孔,硅MEMS基板内部用晶圆键合工艺印制图形和微凸点。
本发明授权一种基于三维异构叠层的电路封装结构在权利要求书中公布了:1.一种基于三维异构叠层的电路封装结构,其特征在于,包括:陶瓷基板的顶层边缘焊接金属围框,陶瓷基板的顶层中间焊接硅MEMS基板,金属围框的高度超过硅MEMS基板,金属围框的顶层焊接金属盖板,陶瓷基板、金属围框、金属盖板形成气密封装的腔体,硅MEMS基板在腔体内;所述陶瓷基板的顶层有焊盘,所述硅MEMS基板的底层有焊盘,都焊接内部BGA,陶瓷基板和硅MEMS基板的信号经过内部BGA互联;陶瓷基板的底层有焊盘,焊接外部BGA,陶瓷基板的信号经过外部BGA和其它基板互联;所述陶瓷基板和硅MEMS基板都是多层堆叠而成,有多个竖直通孔和多条水平布线,各通孔分别连接任意层,各布线在多层板的表面或内部,分别连接任意通孔;所述硅MEMS基板内部用晶圆键合工艺印制图形和微凸点;所述陶瓷基板的布线经过通孔连接金属围框和金属盖板,形成电磁屏蔽外壳;所述陶瓷基板的布线经过通孔、焊盘、内部BGA连接硅MEMS基板的焊盘、通孔、布线和微凸点,形成多个分隔独立的电磁屏蔽腔体;所述陶瓷基板顶层向下挖出多个空腔,根据工作频率和器件高度分别调整空腔深度,空腔底部安装芯片,芯片经过键合线连接布线,再经过通孔连接顶层焊盘;所述硅MEMS基板内部挖出多个空腔,安装芯片,芯片经过键合线连接图形和布线,再经过通孔连接底层焊盘,实现陶瓷基板芯片和硅MEMS基板芯片的信号互联;通过测量硅MEMS基板边缘和金属围框的间隙确定硅MEMS基板的安装位置,使硅MEMS基板的底层焊盘对准内部BGA和陶瓷基板的顶层焊盘。
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