上海中欣晶圆半导体科技有限公司吴芬琦获国家专利权
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龙图腾网获悉上海中欣晶圆半导体科技有限公司申请的专利一种用于硅片加工的胶带研磨方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116765976B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310685729.6，技术领域涉及：B24B9/06；该发明授权一种用于硅片加工的胶带研磨方法是由吴芬琦;庄云娟设计研发完成，并于2023-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于硅片加工的胶带研磨方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种用于硅片加工的胶带研磨方法，包括于边抛机上安装粒度参数大于#2000的研磨胶带；设定边抛机的研磨参数及抛光参数；其中，硅片BCF部分的研磨时间大于ACF、TOP部分的研磨时间，本申请实施例中，通过采用粒度参数更细的研磨胶带型号减小硅片研磨部分的机械损伤层，同时对硅片的BCF、ACF和TOP部分设置不同的研磨时间，由于硅片BCF部分的研磨时间参数大于ACF、TOP部分的研磨时间，使得硅片ACF部分产生的机械损伤层相对于BCF部分更小，在缩短边缘抛光时间的基础上保证硅片ACF部分良好的加工表面，避免直接缩短边缘抛光时间导致硅片外延产生滑移线和层错，同时极大的提高了硅片的研磨及抛光效率，从而提升了单台边抛机的产能。
本发明授权一种用于硅片加工的胶带研磨方法在权利要求书中公布了：1.一种用于硅片加工的胶带研磨方法，其特征在于，包括： 于边抛机上安装粒度参数大于#2000的研磨胶带； 设定边抛机的研磨参数及抛光参数； 基于所述研磨参数执行硅片边缘研磨，并于边缘研磨完毕后基于抛光参数执行边缘抛光； 其中，硅片BCF部分的研磨时间大于ACF、TOP部分的研磨时间，BCF表示背面边缘，ACF表示正面边缘，TOP表示侧边缘； 获取硅片表面CVD膜残留检测结果，基于BCF、ACF、TOP部分的检测达标情况，调整边抛机对应部分的研磨时间参数和或抛光时间参数，若检测结果显示CVD膜残留多时，延长研磨时间和或抛光时间，反之则缩短研磨时间和或抛光时间，其中，研磨参数及抛光参数的调整分别对应BCF部分、TOP部分、ACF部分的达标情况。
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