燕山大学金志欣获国家专利权
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龙图腾网获悉燕山大学申请的专利一种Bi基钙钛矿薄膜晶相制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116621881B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310591309.1，技术领域涉及：C07F9/94；该发明授权一种Bi基钙钛矿薄膜晶相制备方法及应用是由金志欣;高子豪;郭得峰设计研发完成，并于2023-05-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Bi基钙钛矿薄膜晶相制备方法及应用在说明书摘要公布了：本申请涉及光电材料技术领域，更具体地说，它涉及一种Bi基钙钛矿薄膜晶相制备方法及应用。包括以下过程：所述Bi基钙钛矿薄膜晶相包括BiI3层，将熔点200℃以下的铵盐气化，把所述BiI3层放置在所述铵盐形成的气相环境中，可获得均匀致密的非铅铋基钙钛矿薄膜，所述气相环境用于改变Bi基钙钛矿薄膜晶格方向和形貌。为解决传统Bi基钙钛矿层状结构，薄膜不致密的问题，该薄膜对无毒绿色钙钛矿材料的研究和光电子器件的发展具有重要的作用。
本发明授权一种Bi基钙钛矿薄膜晶相制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种Bi基钙钛矿薄膜晶相的制备方法，其特征在于，所述Bi基钙钛矿薄膜的制备方法包括以下步骤： S1：将0.1g-0.3g的BiI3粉末溶于有机溶剂中，在惰性气氛中，保持溶液温度50-60℃，所述BiI3粉末完全溶解，得到前驱体溶液； S2：将得到的所述前驱体溶液旋涂在电子传输层表面，形成薄膜，然后对该薄膜进行退火处理，得到平整的BiI3薄膜； S3：将得到的所述BiI3薄膜，倒贴在培养皿内，将培养皿倒扣在热台上，热台温度为150℃，热台上放置MAX，使所述MAX气化，所述MAX与所述BiI3薄膜反应60min，然后取下所述培养皿中的薄膜，可以得到化学式为MA3Bi2X9的Bi基钙钛矿薄膜； 所述MAX为CH3NH3I，CH3NH3I气化后形成的气相环境用于改变Bi基钙钛矿薄膜晶格方向和形貌。
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