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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种基于忆阻器实现的硬件卷积神经网络系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116468090B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310297925.6，技术领域涉及：G06N3/063；该发明授权一种基于忆阻器实现的硬件卷积神经网络系统是由翟亚红;王健竹设计研发完成，并于2023-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于忆阻器实现的硬件卷积神经网络系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种利用忆阻器所构建的卷积神经网络系统，涉及半导体集成电路和神经网络领域。所提出的卷积神经网络系统核心为忆阻器组成的卷积层和全连接层，以及与之配套的数据编码方法。本发明利用了忆阻器可实现多电阻态的特性，将卷积神经网络中的权重映射为忆阻器的电导，将卷积神经网络中的输入映射为忆阻器两端的电压，读取流经忆阻器的电流即可得到卷积层和全连接层运算之后的结果。相较于传统的卷积神经网络，本发明提出的网络可基于硬件实现，充分利用了忆阻器的多电阻态特性，具有功耗低、效率高、集成度高、与CMOS工艺兼容性好等优点。

本发明授权一种基于忆阻器实现的硬件卷积神经网络系统在权利要求书中公布了：1.一种基于忆阻器实现的卷积神经网络系统，包括作为整个系统核心的忆阻器阵列模块，为忆阻器阵列服务的、用于生成特定的电压以驱动忆阻器阵列以及实现忆阻器阵列与FPGA和计算机的通讯的外围电路模块，用于控制忆阻器阵列模块和外围电路模块的工作、以及实现其与计算机的通讯的FPGA模块；用于数据处理计算机模块，包括权重的编码，层间数据的量化，以及神经网络运行过程中所需要的池化、填充、分类操作；其中，忆阻器阵列的结构为crossbar结构，采用1T1R的连接方式，对单一权重对应的一对忆阻器差分对而言，其一段通过一条共用的BL相连，另一端分别连接两个用作开关的MOS管，MOS管的栅极连接在两条不同的字线WL上，MOS管未连接忆阻器的另一极连接在两条不同的选择线SL上；对一个卷积窗口的多个权重对应的多个忆阻器差分对而言，被施加正电压的忆阻器一端连接在不同的位线BL上，另一端连接在不同的MOS管上，所连接的MOS管的栅极连接在同一条WL上，MOS管未连接忆阻器的另一极连接在同一条SL上；对一个卷积窗口的多个权重对应的多个忆阻器差分对而言，被施加负电压的忆阻器一端连接在不同的BL上，另一端连接在不同的MOS管上，所连接的MOS管的栅极连接在同一条WL上，MOS管未连接忆阻器的另一极连接在同一条SL上。

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