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龙图腾网获悉东莞理工学院申请的专利一种氮化镓基激光器外延结构及具有该结构的激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116387982B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310272599.3，技术领域涉及：H01S5/343；该发明授权一种氮化镓基激光器外延结构及具有该结构的激光器是由贾传宇;谌春亮;刘宏展设计研发完成，并于2023-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氮化镓基激光器外延结构及具有该结构的激光器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氮化镓基激光器外延结构及具有该结构的激光器，涉及半导体光电子器件领域。本发明通过对氮化镓基激光器的有源区结构及外延生长方法进行设计，有效提升有源区晶体质量以及载流子向有源区注入效率，同时，通过设计新型光波导层结构和生长方法，在提升光场限制效果的基础上有效减少内损耗。此外，本发明还进一步设计了氮化镓基激光器外延结构的其它各层结构，进一步提升光场限制效果，降低激光器的内损耗。

本发明授权一种氮化镓基激光器外延结构及具有该结构的激光器在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓基激光器外延结构，包括从下到上依次层叠设置的GaN单晶衬底101、n型GaN层102、n型限制层103、n型下波导层104、有源区105、上波导层106、电子阻挡层107、p型GaN上波导层108、p型限制层109和p型接触层110，其特征在于，所述有源区为非对称InGaNGaN双量子阱结构，从下到上依次层叠设有第一InGaN垒层，第一InGaN阱层、第二GaN垒层、第二InGaN阱层和InGaN最后垒层； 所述有源区第一InGaN阱层和第二InGaN阱层厚度为2~6nm，采用分步式生长法，先在700~800℃下生长0.5~1nm，再在780~850℃下进行再结晶处理，经过3~12个周期重复生长，获得InGaN阱层； 所述有源区第一InGaN阱层和第二InGaN阱层为Inx2Ga1-x2N阱层，其中0.05≤x2≤0.30； 所述n型下波导层104为n-GaN+n-Inx1Ga1-x1N复合波导层，其中n-Inx1Ga1-x1N采用分步式生长法，先在800~900℃条件下生长厚度为10~20nm的Inx1Ga1-x1N，再在850~950℃对Inx1Ga1-x1N波导层进行高温再结晶，经过3~15周期重复生长得到厚度为50~150nm的Inx1Ga1-x1N波导层；其中，x1＜x2； 所述上波导层106为非掺InGaN上波导层，即u-Inx3Ga1-x3N，采用分步式生长法，先在800~900℃下生长厚度为10~20nm的Inx3Ga1-x3N，再在850~950℃下对Inx3Ga1-x3N波导层进行高温再结晶，经过3~15周期重复生长得到厚度为50~150nm的Inx3Ga1-x3N波导层；其中，x3＜x2； 所述电子阻挡层107为p型AlGaN电子阻挡层，厚度为5～25nm，其中Al组分含量为5～25％； 分步式生长过程中，所述再结晶处理的温度大于生长的温度。

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