买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉圆益IPS股份有限公司申请的专利薄膜形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116377418B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211247053.4，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权薄膜形成方法是由朴永薰;田真镐;洪尚祺设计研发完成，并于2022-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本薄膜形成方法在说明书摘要公布了：本发明的一观点的一种薄膜形成方法，利用基板处理装置，所述基板处理装置包括：工艺腔室，在内部提供反应空间；基板支撑部，设置在所述工艺腔室，以在上部放置基板；气体喷射部，在所述反应空间内向所述基板支撑部上供应工艺气体。所述薄膜形成方法包括如下的步骤：在所述工艺腔室内将基板放置在所述基板支撑部上；在所述基板上将TiSiN单位循环反复多次，利用抑制剂原子层沉积ALD形成TiSiN薄膜。其中，所述TiSiN单位循环包括如下的步骤：将TiN单位循环至少反复1次，所述TiN单位循环在所述基板上利用抑制剂原子层沉积形成TiN层；SiN单位循环至少反复一次，在所述TiN层上利用原子层沉积形成SiN层。

本发明授权薄膜形成方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜形成方法，利用基板处理装置，所述基板处理装置包括：工艺腔室，在内部提供反应空间；基板支撑部，设置在所述工艺腔室，以在上部放置基板；气体喷射部，在所述反应空间内向所述基板支撑部上供应工艺气体； 所述薄膜形成方法包括如下的步骤： 在所述工艺腔室内将基板放置在所述基板支撑部上； 在所述基板上，将利用抑制剂的ALD-TiSiN单位循环反复多次，以通过原子层沉积形成ALD-TiSiN薄膜； 其中，利用所述抑制剂的ALD-TiSiN单位循环包括如下的步骤： 将利用抑制剂的抑制剂ALD-TiN单位循环至少反复1次，以在所述基板上形成ALD-TiN层；及 将不利用抑制剂的增强ALD-SiN单位循环至少反复1次，以在所述ALD-TiN层上注入Si元素， 所述利用抑制剂的抑制剂ALD-TiN单位循环包括： 所述基板上至少供应1次抑制剂及源的步骤，按顺序或者倒序包括抑制剂供应步骤及含钛气体供应步骤；及 在所述基板上至少供应1次含氮反应气体的步骤， 在所述抑制剂供应步骤之后、所述含钛气体供应步骤之后及所述反应气体供应步骤之后附加脉冲式吹扫气体供应步骤， 所述利用抑制剂的抑制剂ALD-TiN单位循环与所述不利用抑制剂的增强ALD-SiN单位循环的反复次数的比率为3：1至8：1的范围。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人圆益IPS股份有限公司，其通讯地址为：韩国京畿道平泽市振威面振威产团路75；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。