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龙图腾网获悉湖南大学申请的专利发光器件的弱化结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314518B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310247521.6，技术领域涉及：H10H20/819；该发明授权发光器件的弱化结构及其制备方法是由潘安练;胡楠;李梓维设计研发完成，并于2023-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本发光器件的弱化结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种发光器件的弱化结构及其制备方法，其中发光器件弱化结构的制备方法包括：先提供设置有发光器件的衬底，然后于发光器件上形成保护层，再基于保护层对非器件区域的衬底进行一次刻蚀并去除保护层，如此实现了对于衬底的第一次减薄。继而，于一次刻蚀后的衬底和发光器件上形成掩膜层，然后基于图形化的掩膜层对非器件区域的衬底进行二次刻蚀，再对器件区域且外露的衬底进行各向异性刻蚀，形成结构柱并去除掩膜层，实现了对衬底的第二次减薄，结构柱与一次刻蚀后器件区域的衬底即结构臂构成T形弱化结构，可采用普通转移头对T形弱化结构上的发光器件进行选择性拾取，提高了发光器件巨量转移的效率，降低了发光器件巨量转移的成本。

本发明授权发光器件的弱化结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光器件弱化结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括器件区域和非器件区域；其中，所述器件区域上设置有发光器件；所述衬底为硅111衬底； 于所述发光器件上形成保护层； 基于所述保护层，对所述非器件区域的衬底进行一次刻蚀；所述衬底经一次刻蚀后形成结构臂和子衬底；所述结构臂位于所述子衬底与所述发光器件之间； 去除所述保护层； 于所述一次刻蚀后的衬底和所述发光器件上形成掩膜层； 基于图形化的掩膜层，对所述非器件区域的衬底进行二次刻蚀；其中，在平行所述衬底方向上，所述二次刻蚀的刻蚀宽度小于所述一次刻蚀的刻蚀宽度；所述图形化的掩膜层位于所述子衬底的侧壁、所述发光器件的侧壁和所述发光器件的上表面；所述子衬底经二次刻蚀形成中间层和子衬底层；所述二次刻蚀与所述一次刻蚀的方向均为垂直所述衬底的方向；所述一次刻蚀的刻蚀宽度为相邻两个所述子衬底之间的间距；所述二次刻蚀的刻蚀宽度为相邻两个所述中间层之间的间距； 对所述器件区域且外露的衬底进行各向异性腐蚀，以形成结构柱；所述器件区域且外露的衬底为所述中间层；所述结构臂与所述结构柱形成T形弱化结构； 去除所述掩膜层。

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