索泰克公司F·阿利伯特获国家专利权
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龙图腾网获悉索泰克公司申请的专利包括导电结合界面的半导体结构和关联的生产方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116250061B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180048657.3，技术领域涉及：H01L21/18；该发明授权包括导电结合界面的半导体结构和关联的生产方法是由F·阿利伯特;迪迪埃·朗德吕;O·科农丘克;埃里克·圭奥特;格维塔兹·戈丹;J·维迪兹;F·佛内尔设计研发完成，并于2021-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括导电结合界面的半导体结构和关联的生产方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构100，其包括由单晶半导体材料制成并沿着主平面x,y延伸的有用层10、由半导体材料制成的支撑基板30以及在有用层10和支撑基板30之间的界面区域20，支撑基板平行于主平面x,y延伸，该结构100的特征在于界面区域20包括结节21：‑其为导电的，它们包含与有用层10和支撑基板30形成欧姆接触的金属材料；‑其沿着垂直于主平面x,y的轴线z具有小于或等于30nm的厚度；‑其为分离的或毗连的，分离结节21通过有用层10和支撑基板30的直接接触区域22彼此分离。本发明还涉及一种用于制造该结构100的方法。
本发明授权包括导电结合界面的半导体结构和关联的生产方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构100，该半导体结构100包括在主平面x,y上延伸的由单晶半导体材料制成的工作层10、由半导体材料制成的载体基板30以及在所述工作层10和所述载体基板30之间的平行于所述主平面x,y延伸的界面区20，该半导体结构100的特征在于，所述界面区20包括结节21： -所述结节21为导电的，包括与所述工作层10和所述载体基板30形成欧姆接触的金属材料， -所述结节21沿着垂直于所述主平面x,y的轴线z具有小于或等于30nm的厚度， -所述结节21为间断的或接合的，间断结节21通过所述工作层10和所述载体基板30之间的直接接触区域22彼此分离， -所述结节21得自由所述金属材料制成的封装膜2’在退火下的分段，在所述退火之前，所述封装膜2’在所述工作层10和所述载体基板30之间连续延伸。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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