扬州乾照光电有限公司吴真龙获国家专利权
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龙图腾网获悉扬州乾照光电有限公司申请的专利一种VCSEL外延结构及其制作方法、VCSEL芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116207612B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310328904.6，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权一种VCSEL外延结构及其制作方法、VCSEL芯片是由吴真龙设计研发完成，并于2023-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种VCSEL外延结构及其制作方法、VCSEL芯片在说明书摘要公布了：本发明提供一种VCSEL外延结构及其制作方法、VCSEL芯片，其中VCSEL外延结构包括：层叠在衬底上的N型DBR反射层、谐振腔层和P型DBR反射层，谐振腔层包括有源区，P型DBR反射层包括第一DBR堆叠结构及第一AlGaAs过渡层，第一DBR堆叠结构包括交替层叠设置的AlxGaAs层和AlyGaAs层，第一AlGaAs过渡层设置于AlxGaAs层和AlyGaAs层之间，P型DBR反射层的掺杂浓度沿第一方向依次递增，且第一AlGaAs过渡层的厚度随P型DBR反射层的掺杂浓度增大呈减小趋势，这样设置既减少了串联电阻，又提高了绝对反射率。
本发明授权一种VCSEL外延结构及其制作方法、VCSEL芯片在权利要求书中公布了：1.一种VCSEL外延结构，其特征在于，包括： 衬底； 沿第一方向依次层叠在所述衬底上的N型DBR反射层、谐振腔层和P型DBR反射层，所述谐振腔层包括有源区，所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述P型DBR反射层； 其中，所述P型DBR反射层包括第一DBR堆叠结构及第一AlGaAs过渡层，所述第一DBR堆叠结构包括交替层叠设置的AlxGaAs层和AlyGaAs层，所述第一AlGaAs过渡层设置于所述AlxGaAs层和所述AlyGaAs层之间，其中，xy； 所述P型DBR反射层的掺杂浓度沿所述第一方向依次递增，且所述第一AlGaAs过渡层的厚度随所述P型DBR反射层的掺杂浓度增大呈减小趋势； 其中，所述AlxGaAs层、所述AlyGaAs层及所述第一AlGaAs过渡层为P型掺杂，所述第一AlGaAs过渡层的掺杂浓度大于与其相邻的所述AlxGaAs层和所述AlyGaAs层的掺杂浓度。
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