中国科学院物理研究所陈小龙获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院物理研究所申请的专利用于液相法生长碳化硅晶体的装置及方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116163004B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211636437.5,技术领域涉及:C30B11/00;该发明授权用于液相法生长碳化硅晶体的装置及方法是由陈小龙;盛达;王国宾;王文军;郭建刚;李辉设计研发完成,并于2022-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于液相法生长碳化硅晶体的装置及方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种用于液相法生长碳化硅晶体的装置。使用本发明的装置时,将顶托旋入籽晶座,可以在连接处夹一石墨纸作为缓冲层。然后,将环套上的凸台卡在籽晶锭上的环槽后,通过环套上的螺纹与籽晶座相连使得籽晶锭与顶托紧密接触。通过本发明的装置可以实现对籽晶锭的可靠夹持。本发明还提供一种制备碳化硅晶体的方法,其使用本发明的用于液相法生长碳化硅晶体的装置。本发明的装置可以重复利用籽晶,省去粘籽晶和后续热压固定籽晶的过程,降低成本。本发明的装置还可以消除由于籽晶粘接导致的生长缺陷,并且可以通过改变顶托的厚度调节晶体生长时的轴向温场,提升液相法生长碳化硅晶体的质量。本发明的方法制得碳化硅晶体的质量优异。
本发明授权用于液相法生长碳化硅晶体的装置及方法在权利要求书中公布了:1.一种用于液相法生长碳化硅晶体的装置,其包括:籽晶杆、籽晶座、顶托、籽晶锭、环套; 所述籽晶座包括基板、沿基板一侧方向上周向延伸的第一圆筒、沿基板另一侧方向上周向延伸的第二圆筒;所述第一圆筒上设有内螺纹;所述第二圆筒包括靠近所述基板的第一部段和剩余的第二部段,其中所述第二部段的内径大于所述第一部段的内径并且所述第一部段和第二部段上均设有内螺纹; 所述环套一端设有径向向内延伸的凸台并且所述环套的另一端设有外螺纹; 所述籽晶锭设有周向凹槽; 所述籽晶杆通过螺纹连接至所述第一圆筒; 所述顶托通过螺纹连接至所述第二圆筒的第一部段; 所述籽晶锭通过所述环套连接至所述籽晶座,从而将所述顶托夹持在所述籽晶座与籽晶锭之间;其中所述环套上的凸台卡入所述籽晶锭上的凹槽,所述环套的外螺纹与所述第二圆筒的第二部段的内螺纹适配连接; 所述装置还包括石墨纸,所述石墨纸位于所述顶托和所述籽晶锭之间,使得所述顶托和所述籽晶锭隔开; 所述籽晶锭尺寸为2~8英寸,厚度为4~10mm。
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