长江存储科技有限责任公司黎姗获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116133439B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211103715.0，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统是由黎姗;方语萱;夏志良;杨涛;刘磊设计研发完成，并于2022-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统，涉及半导体芯片技术领域，以提高半导体结构的存储密度。半导体结构包括第一堆叠结构、存储结构和相变层。第一堆叠结构包括多个第一介质层和多个字线层。存储结构包括铁磁自由层、隧穿层、铁磁钉扎层和导电层；铁磁自由层位于隧穿层和第一堆叠结构之间，隧穿层位于铁磁自由层和铁磁钉扎层之间，铁磁钉扎层位于隧穿层和导电层之间，导电层位于铁磁钉扎层远离隧穿层的一侧，且导电层与位线耦接。相变层至少部分位于字线层和铁磁自由层之间。半导体结构应用于三维存储器中，以实现数据的读取和写入操作。
本发明授权半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 第一堆叠结构，包括交替叠置的多个第一介质层和多个字线层； 存储结构，贯穿所述第一堆叠结构；所述存储结构包括铁磁自由层、隧穿层、铁磁钉扎层和导电层；所述铁磁自由层位于所述隧穿层和所述第一堆叠结构之间，所述隧穿层位于所述铁磁自由层和所述铁磁钉扎层之间，所述铁磁钉扎层位于所述隧穿层和所述导电层之间，所述导电层位于所述铁磁钉扎层远离所述隧穿层的一侧，且所述导电层与位线耦接；所述存储结构还包括反铁磁层，所述反铁磁层位于所述导电层和所述铁磁钉扎层之间； 相变层，至少部分位于所述字线层和所述铁磁自由层之间，所述相变层与所述字线层和所述铁磁自由层耦接。
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