华邦电子股份有限公司李俊霖获国家专利权
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龙图腾网获悉华邦电子股份有限公司申请的专利半导体装置及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116133370B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110935848.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体装置及其形成方法是由李俊霖设计研发完成，并于2021-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种半导体装置及其形成方法，包括：基板、一对源极漏极区、含金属层及栅极结构。基板具有沟槽。源极漏极区设置于沟槽两侧的基板中。含金属层设置于沟槽下方，含金属层与沟槽的相对侧壁上的基板共同构成半导体装置的沟道区。栅极结构设置于沟槽中。栅极结构包括：栅极介电层，设置沟槽的相对侧壁上、缓冲层，设置于含金属层上、以及栅极导电层，设置于缓冲层上且填入沟槽。本发明实施例可以提高驱动电流以改善半导体装置的性能。
本发明授权半导体装置及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 一基板，具有一沟槽； 一对源极漏极区，设置于该沟槽两侧的该基板中； 一含金属层，设置于该沟槽下方，其中该含金属层包括一金属硅化物层，该含金属层与该沟槽的相对侧壁上的该基板共同构成该半导体装置的一沟道区，该含金属层与该对源极漏极区被该基板隔开；以及 一栅极结构，设置于该沟槽中，该栅极结构包括： 一栅极介电层，设置于该沟槽的相对侧壁上； 一缓冲层，设置于该含金属层上；及 一栅极导电层，设置于该缓冲层上且填入该沟槽。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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