买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利具有垂直晶体管的存储器器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116097915B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180003350.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权具有垂直晶体管的存储器器件及其形成方法是由朱宏斌;刘威;王言虹设计研发完成，并于2021-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有垂直晶体管的存储器器件及其形成方法在说明书摘要公布了：在某些方面中，一种三维3D存储器器件包括第一半导体结构、第二半导体结构以及第一半导体结构与第二半导体结构之间的键合界面。第一半导体结构包括外围电路。第二半导体结构包括存储器单元阵列和耦合到存储器单元并且各自在垂直于第一方向的第二方向上延伸的多条位线。存储器单元中的每一个存储器单元包括在第一方向上延伸的垂直晶体管和耦合到垂直晶体管的存储单元。垂直晶体管包括在第一方向上延伸的半导体主体，以及与半导体主体的多个侧面接触的栅极结构。半导体主体的耦合到存储单元的一个端部与栅极结构齐平。位线中的相应一条位线和相应存储单元在第一方向上耦合到存储器单元中的每一个存储器单元的相对端部。存储器单元阵列经过键合界面耦合到外围电路。

本发明授权具有垂直晶体管的存储器器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种三维3D存储器器件，包括： 第一半导体结构，所述第一半导体结构包括外围电路； 第二半导体结构，所述第二半导体结构包括： 存储器单元阵列，所述存储器单元阵列中的存储器单元中的每一个存储器单元包括在第一方向上延伸的垂直晶体管和耦合到所述垂直晶体管的存储单元， 其中，所述垂直晶体管包括在所述第一方向上延伸的半导体主体、以及与所述半导体主体的多个侧面接触的栅极结构，并且所述半导体主体的耦合到所述存储单元的一个端部与所述栅极结构的栅极电极齐平；以及 多条位线，所述多条位线耦合到所述存储器单元并且各自在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，其中，所述位线中的相应一条位线和相应存储单元在所述第一方向上耦合到所述存储器单元中的每一个存储器单元的相对端部；以及 键合界面，所述键合界面在所述第一方向上在所述第一半导体结构与所述第二半导体结构之间，其中，所述存储器单元阵列经过所述键合界面耦合到所述外围电路。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长江存储科技有限责任公司，其通讯地址为：430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。