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龙图腾网获悉高通股份有限公司申请的专利包括被配置为至少一个声学滤波器的声学谐振器的衬底获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116076020B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180057254.5，技术领域涉及：H03H9/05；该发明授权包括被配置为至少一个声学滤波器的声学谐振器的衬底是由金钟海;J-H·兰;R·达塔设计研发完成，并于2021-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本包括被配置为至少一个声学滤波器的声学谐振器的衬底在说明书摘要公布了：一种衬底202，包括包封层203、第一声学谐振器205、第二声学谐振器207、至少一个第一电介质层240、多个第一互连件244、至少一个第二电介质层260和多个第二互连件264。该第一声学谐振器205位于该包封层中。该第一声学谐振器205包括第一压电衬底250，该第一压电衬底250包括第一厚度。该第二声学滤波器207位于该包封层203中。该第二声学谐振器207包括第二压电衬底270，该第二压电衬底270包括不同于该第一厚度的第二厚度。该至少一个第一电介质层耦合到该包封层的第一表面。该多个第一互连件耦合到该包封层的该第一表面。该多个第一互连件至少位于该至少一个第一电介质层中。

本发明授权包括被配置为至少一个声学滤波器的声学谐振器的衬底在权利要求书中公布了：1.一种衬底，包括： 具有固定厚度的包封层； 第一声学谐振器，位于所述包封层中，其中所述第一声学谐振器包括： 第一衬底；以及 耦合至所述第一衬底的第一压电层，其中所述第一衬底和所述第一压电层包括组合的第一厚度； 第二声学谐振器，位于所述包封层中，其中所述第二声学谐振器包括： 第二衬底；以及 耦合至所述第二衬底的第二压电层，其中所述第二衬底和所述第二压电层包括不同于所述第一厚度的组合的第二厚度， 其中所述第二压电层是与所述第一压电层分离的压电层， 其中所述第二衬底是与所述第一衬底分离的衬底， 其中所述第二声学谐振器在所述包封层中位于所述第一声学谐振器的侧面，并且 其中所述第二声学谐振器与所述第一声学谐振器在垂直方向上不交叠； 至少一个第一电介质层，耦合到所述包封层的第一表面； 多个第一互连件，耦合到所述包封层的所述第一表面，其中所述多个第一互连件至少部分地位于所述至少一个第一电介质层中； 至少一个第二电介质层，耦合到所述包封层的第二表面，其中所述至少一个第一电介质层和所述至少一个第二电介质层中的每一者包括不同于所述包封层的材料； 多个第二互连件，耦合到所述包封层的所述第二表面，其中所述多个第二互连件至少位于所述至少一个第二电介质层中；以及 耦合至所述第一声学谐振器或所述第二声学谐振器中的至少一者的匹配电感器或匹配电容器， 其中所述第一声学谐振器是声波SAW器件、体声波BAW器件、薄膜体声波谐振器FBAR或轮廓模式谐振器CMR中的一者，并且 其中所述第二声学谐振器是与所述第一声学谐振器不同类型的声学谐振器。

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