华为数字能源技术有限公司高博获国家专利权
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龙图腾网获悉华为数字能源技术有限公司申请的专利沟槽栅半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116072712B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111275645.2，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权沟槽栅半导体器件及其制造方法是由高博;黄伯宁;唐龙谷;张毅;周锋;胡飞设计研发完成，并于2021-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本沟槽栅半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种沟槽栅半导体器件及其制造方法，用于提高沟槽栅半导体的可靠性。本申请的沟槽栅半导体包括具有第一导电类型的衬底；具有第一导电类型的外延层，生长于衬底上；具有第二导电类型的阱区，形成于外延层的表层上；具有第一导电类型的源区，形成于阱区的表层上；第一沟槽，从源区的表面贯穿阱区延伸到外延层；栅极，隔着栅极绝缘膜形成于第一沟槽内；非晶半导体层，形成于第一沟槽内且隔着栅极绝缘膜包裹栅极的外底壁和外底壁两侧的角部，非晶半导体层由低介电常数材料构成。
本发明授权沟槽栅半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽栅半导体器件，其特征在于，所述沟槽栅半导体器件包括： 具有第一导电类型的衬底； 具有所述第一导电类型的外延层，生长于所述衬底上； 具有第二导电类型的阱区，形成于所述外延层的表层上； 具有所述第一导电类型的源区，形成于所述阱区的表层上； 第一沟槽，从所述源区的表面贯穿所述阱区延伸到所述外延层； 栅极，隔着栅极绝缘膜形成于所述第一沟槽内； 非晶半导体层，形成于所述第一沟槽内且隔着所述栅极绝缘膜包裹所述栅极的外底壁和所述外底壁两侧的角部，所述非晶半导体层由低介电常数材料构成，所述栅极的外底壁用于包裹氧化层和所述非晶半导体层，所述非晶半导体层是符合介电常数要求的非晶半导体材料构成的。
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