武汉颐光科技有限公司石雅婷获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉颐光科技有限公司申请的专利一种椭偏仪微光斑校准方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116045822B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211601692.6，技术领域涉及：G01B11/06；该发明授权一种椭偏仪微光斑校准方法是由石雅婷;薛小汝;李伟奇;郭春付;何勇;张传维设计研发完成，并于2022-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种椭偏仪微光斑校准方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种椭偏仪微光斑效应校准方法，包括：S1，选利用椭偏仪测量获得选定的标准测量样件的周期性光强信号；S2，在全波段内选取某一段作为分析波段，基于椭偏仪系统模型，调整微光斑相位差，获得膜厚和入射角方差随微光斑相位差变化的曲线，以二次函数拟合曲线并找到曲线最低点；S3，将椭偏仪系统模型中的微光斑相位差固定在所述曲线最低点对应的微光斑相位差，在分析波段内对所有系统参数和标准测量样件膜厚进行逐波长校准，计算分析波段内膜厚和入射角的均值；S4，将椭偏仪系统模型中的膜厚和入射角固定在计算得到的分析波段内膜厚和入射角的均值，在全波段逐波长校准所有系统参数。通过本发明方法能够对椭偏仪进行精确地系统校准。
本发明授权一种椭偏仪微光斑校准方法在权利要求书中公布了：1.一种椭偏仪微光斑校准方法，其特征在于，包括： S1，选利用椭偏仪测量获得选定的标准测量样件的周期性光强信号； S2，在全波段内选取某一段作为分析波段，基于椭偏仪系统模型，调整微光斑相位差，获得膜厚和入射角方差随微光斑相位差变化的曲线，以二次函数拟合曲线并找到曲线最低点； S3，将椭偏仪系统模型中的微光斑相位差固定在所述曲线最低点对应的微光斑相位差，在分析波段内对所有系统参数和标准测量样件膜厚进行逐波长校准，计算分析波段内膜厚和入射角的均值； S4，将椭偏仪系统模型中的膜厚和入射角固定在计算得到的分析波段内膜厚和入射角的均值，在全波段逐波长校准所有系统参数。
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