高通股份有限公司晶昌镐获国家专利权
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龙图腾网获悉高通股份有限公司申请的专利具有高级突发模式地址比较器的SRAM获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116034429B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202180055935.8,技术领域涉及:G11C7/10;该发明授权具有高级突发模式地址比较器的SRAM是由晶昌镐;A·B·帕勒拉;P·达达博伊设计研发完成,并于2021-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有高级突发模式地址比较器的SRAM在说明书摘要公布了:提供了一种存储器,该存储器被配置为实施正常读取操作并且还实施突发模式读取操作。突发模式地址比较器将当前行地址与来自先前读取操作的先前行地址进行比较,以确定读取操作是正常读取操作还是突发模式读取操作。突发模式地址比较器调用突发模式,即使存在针对不等于先前行地址的行地址的中间写入操作。
本发明授权具有高级突发模式地址比较器的SRAM在权利要求书中公布了:1.一种包括突发模式地址比较器的存储器,包括: 地址存储器,被配置为存储用于第一读取操作的第一行地址; 锁存器,被配置为响应于用于写入操作的第二行地址等于所述第一行地址,将锁存器输出信号置位,所述写入操作跟在所述第一读取操作之后; 第一多个逻辑门,被配置为响应于针对所述存储器的当前行地址等于所述第一行地址,将位比较字断言; 第一晶体管,被配置为在每个写入操作期间关断,并且在每个读取操作期间导通; 第二晶体管,具有耦合到用于突发模式信号的突发模式节点的第一端子,并且具有通过所述第一晶体管耦合到地的第二端子;以及 第二多个逻辑门,被配置为在所述锁存器输出信号被断言时,响应于所述位比较字的断言,将所述第二晶体管导通以将所述突发模式节点接地,并且在所述锁存器输出信号被复位时,响应于所述位比较字的断言,不导通所述第二晶体管。
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