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龙图腾网获悉中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利一种中红外光纤激光系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116031737B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211697406.0，技术领域涉及：H01S3/067；该发明授权一种中红外光纤激光系统是由周寅利;宁永强;张建伟;张星设计研发完成，并于2022-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种中红外光纤激光系统在说明书摘要公布了：本发明涉及中红外激光领域，具体提供了一种中红外光纤激光系统，包括半导体泵浦源、稀土离子掺杂中红外光纤和中红外激光出射口；半导体泵浦源包括具有双发光区的半导体面发射激光泵浦源芯片，泵浦源芯片从下至上依次包括N型电极层、衬底层、N型DBR反射镜、下限制层、有源层、上限制层、氧化层、P型盖层、P型电极层和P型介质膜反射镜，P型电极层上包括两个出光孔，氧化层上包括氧化孔；中红外激光出射口从下至上依次包括光纤包层、光纤芯层和刻蚀的二阶光栅结构；中红外光纤包括光纤包层和光纤芯层。本方案中的两个发光区可分别与中红外光纤的两个端面直接对准，可提高耦合效率，降低系统的体积，同时可避免中红外光纤被损伤。

本发明授权一种中红外光纤激光系统在权利要求书中公布了：1.一种中红外光纤激光系统，其特征在于，包括半导体泵浦源1、中红外光纤2和在中红外光纤2上通过刻蚀二阶光栅形成的中红外激光出射口3；所述半导体泵浦源1包括具有双发光区的半导体面发射激光泵浦源芯片，中红外光纤2中掺杂有稀土离子；半导体泵浦源1的两个发光区分别对准中红外光纤2的两个端面，中红外光纤2的两个端面分别与相应的发光区连接，由两个发光区发出的泵浦激光直接输入到中红外光纤2中激发光纤中的增益介质产生中红外激光，中红外激光在中红外激光出射口3处通过二阶光栅形成垂直耦合发射，所述中红外激光出射口3从下至上依次包括光纤包层16、光纤芯层17和刻蚀的二阶光栅结构18，所述二阶光栅结构18的光栅周期为：中红外激光波长的一半光纤包层16的折射率； 所述泵浦源芯片从下至上依次包括N型电极层4、衬底层5、N型DBR反射镜6、下限制层7、有源层8、上限制层9、氧化层10、P型盖层11和P型电极层12；所述P型电极层12上设有2个P型介质膜反射镜13，2个P型介质膜反射镜13分别位于两个发光区，P型介质膜反射镜13将泵浦激光反射回激光器腔内与N型DBR反射镜6共同形成激光振荡，并使泵浦激光从P型介质膜反射镜13表面发射，P型介质膜反射镜13使得中红外激光在光纤内形成光振荡并最终达到激射阈值条件形成中红外激光。

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