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龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利新型HPGeγ能谱分析方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116027379B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310077610.0，技术领域涉及：G01T1/36；该发明授权新型HPGeγ能谱分析方法及系统是由王德忠;杨桧;顾卫国;周文涛;张新煜设计研发完成，并于2023-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本新型HPGeγ能谱分析方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种新型HPGeγ能谱分析方法及系统，涉及能谱分析技术领域，包括：步骤S1：通过低通滤波器对能谱进行平滑；步骤S2：通过CWT方法对平滑后的能谱进行寻峰；步骤S3：寻峰后，使用改进的二次卷积法计算峰宽；步骤S4：通过四阶滤波自适应SNIP进行本底扣除；步骤S5：通过实验的方法，标定峰形滤波器；步骤S5：通过正则化反卷积求解进行能谱分析。本发明能够实现在重叠峰分解过程中不依靠核素库的辅助，提高了测量的准确度和精确度，为LILW的安全处置提高关键技术支撑。

本发明授权新型HPGeγ能谱分析方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种新型HPGeγ能谱分析方法，其特征在于，包括： 步骤S1：通过低通滤波器对原始能谱进行平滑，得到平滑后的能谱； 步骤S2：通过CWT方法对平滑后的能谱进行寻峰； 步骤S3：基于寻峰后得到的峰位，使用改进的二次卷积法计算峰宽； 步骤S4：结合所述峰位和峰宽，通过四阶滤波自适应SNIP进行本底扣除，得到净谱； 步骤S5：通过实验的方法，标定峰形滤波器； 步骤S5：利用所述峰形滤波器，对所述净谱进行反卷积，通过正则化迭代方法求解，得到结果； 所述步骤S3包括： 全能峰表达式为： 式中，x为道址，A为峰值计数，a为峰位，σ为全能峰的标准差； 对上述公式进行高斯一阶导数二次卷积计算结果为： 式中：δ表示了滤波器的宽度； 对于该公式，当dCxdδ＝0时，易得δ＝σ； 对Cx取其绝对值，通过遍历δ可能的值，则能够得到一个矩阵Mx,δ，其中x为channel； 利用CWT计算得到峰的位置，分析矩阵Mx,δ中峰位所对应的每一列曲线，其一定存在一个极大值，则该极大值所对应的δ值，就是该峰位下的σ值，则[a-3σ,a+3σ]为峰所在区域的宽度； 所述步骤S5包括： 采用实验的方法，对FWHM进行刻度；由于不同能量下的FWHM均不同，故采用下式公式进行参数拟合： 其中，Energy为能量； 基于FWHM信息，结合高斯函数计算得到峰形滤波器； 还包括步骤S6： 通过探测器的响应函数，建立射线入射谱和能量沉积谱之间的关系，如下式所示： 式中，xτ为入射谱，yt为能量沉积谱，ht为响应函数，t为道址，nt为系统噪声；将峰形的响应函数ht作为滤波器，通过反卷积过程获得入射谱，实现重叠峰的分离； 对于一个离散的系统，ht表示为一个矩阵： 式中，矩阵的每一列为全能峰响应的概率密度函数，h的角标表示了从该道发射的射线；由于不同全能峰的FWHM不同，因此a～n的值表示不同全能峰的峰宽；最后用是Boosted-MLEM算法对式yt求解。

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