上海新微半导体有限公司郭德霄获国家专利权
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龙图腾网获悉上海新微半导体有限公司申请的专利一种半导体器件结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115966604B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211677819.2，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种半导体器件结构及其制备方法是由郭德霄;许东;雷嘉成;刘胜北;彭昊炆设计研发完成，并于2022-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件结构及其制备方法，器件结构包括：衬底层、器件外延层、场板介质层、负电容介质层、栅极层、场板电极；场板介质层设置于器件外延层上，负电容介质层设置于场板介质层上，栅极层设置于场板介质层和负电容介质层的第一侧，且栅极层自该第一侧朝第二侧延伸以至少覆盖部分负电容介质层，以形成场板电极。本发明通过在场板电极与场板介质层之间设置负电容介质层，引入了负电容结构，从而在产生等量电荷的情况下需要更少的输入能量，平衡了GaN基HEMT器件引入场板电极产生的附加电容，在保持场板电极带来的高击穿电压和高使用寿命的同时，缩短了充放电时间，提高了器件开关速度，优化了GaN基HEMT器件的开关特性和频率特性。
本发明授权一种半导体器件结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件结构，其特征在于，所述器件结构包括：衬底层、器件外延层、场板介质层、负电容介质层、栅极层、场板电极； 所述器件外延层设置于所述衬底层上，所述场板介质层设置于所述器件外延层上，所述负电容介质层设置于所述场板介质层上，所述栅极层设置于所述场板介质层和所述负电容介质层的第一侧，且所述栅极层自所述第一侧朝所述场板介质层和所述负电容介质层的第二侧延伸，以至少覆盖部分所述负电容介质层，以形成场板电极； 所述器件结构还包括源极层和漏极层，所述场板介质层将所述栅极层、所述源极层和所述漏极层分隔开；所述第二侧为所述场板介质层和所述负电容介质层靠近所述漏极层的一侧。
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